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IRFP9142	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved inductive ruggedness ? Fsat switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFP9142	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved inductive ruggedness ? Fast switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliablility 文件：381.33 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFP9142	文件：314.13 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -15A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：314.13 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRFP9142	文件：272.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：272.9 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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