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IRFL640PBF	文件：1.65092 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissip 文件：1.65092 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFS640	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：916.61 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRFS640	文件：308.86 Kbytes Page：5 Pages	Improved inductive ruggedness 文件：308.86 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFS640	文件：814.08 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package 文件：814.08 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍箭電子	FOSHAN

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更多IRFL640PBF供應(yīng)商更新時間2026-1-19 15:51:00