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IRFL1006	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.22ohm, Id=1.6A)	Infineon 英飛凌	Infineon
IRFL1006PBF	文件：129.479 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：129.479 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRFL1006N	文件：799.58 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：799.58 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI

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更多IRFL1006供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:14:00