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IRFI840A	文件：227.93 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ? Avalanche Rugged Technology ? Rugged Gate Oxide Technology ? Lower Input Capacitance ? Improved Gate Charge ? Extended Safe Operating Area ? Lower Leakage Current: 10μA (Max.) @ VDS = 500V ? Lower RDS(ON): 0.638? (Typ.) 文件：227.93 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRFI840A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
IRFI840B	文件：695.11 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：695.11 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRFI840G	文件：122.02 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET (-55V, 0.1ohm, -14A) 文件：122.02 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFI840G	文件：169.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.6A) IRF1840G -> Correct Partumber IRFI840G 1. Isolated Package 2. High Voltage Isolation = 2.5VKRMS 3. Sink to Lead Creepage Dist = 4.8 mm 4. Low Thermal Resistance 文件：169.05 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IRF	IRF

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