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首頁 >IRFBC30L>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFBC30L	文件：310.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Surface-mount (IRFBC30S, SiHFBC30S) ? Low-profile through-hole (IRFBC30L, SiHFBC30L) ? Available in tape and reel (IRFBC30S, SiHFBC30S) ? Dynamic dV/dt rating ? 150 °C operating temperature ? Fast switching ? Fully avalanche rated ? Material categorization: for definitions of c 文件：310.37 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC30L	文件：362.05 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：362.05 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC30L	文件：147.97 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：147.97 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC30L	文件：961.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：961.84 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC30LPBF	文件：961.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：961.84 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC30L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount (IRFBC30S, SiHFBC30S)\nLow-profile through-hole (IRFBC30L, SiHFBC30L)\nAvailable in tape and reel (IRFBC30S, SiHFBC30S);	Vishay 威世	Vishay
IRFBC30L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)	Infineon 英飛凌	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFBC30L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFBC30L	IR	2015+	TO-262	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFBC30L	IR	24+	TO-262	8866		詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFBC30L	VISHAY	25+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFBC30L	Vishay Siliconix	22+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRFBC30L	IR	01+02+	TO-262	233	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRFBC30L	Vishay Siliconix	2022+	TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市科翼源電子有限公司	IRFBC30L	IR	23+	TO-262	2733	原廠原裝正品	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFBC30L	IR	23+	TO-262	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFBC30L	IR	23+	TO-262	7000		詢價(jià)
深圳市富芯樂電子科技有限公司	IRFBC30L	IR	24+	NA	4500	只做原裝正品現(xiàn)貨歡迎來電查詢15919825718	詢價(jià)

更多IRFBC30L供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 11:03:00

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