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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF830ASPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement ? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ? Effective Coss specified ? Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS ? Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：159.55 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830ASPBF	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：242.75 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830ASPBF	文件：665.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：665.92 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF830ASTRL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement ? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ? Effective Coss specified ? Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS ? Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：159.55 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830ASTRLPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement ? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ? Effective Coss specified ? Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS ? Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：159.55 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830ASTRLPBF	文件：2.23303 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET FEATURES ? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg ? Low input capacitance (Ciss) ? Reduced switching and conduction losses ? Ultra low gate charge (Qg) ? Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS ? Server and telecom power supplies ? Switch mode power supplies (SMPS) ? Power factor correction 文件：2.23303 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

詳細參數(shù)

型號：
IRF830ASPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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