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首頁 >IRF731>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF7311TR	文件：2.087889 Mbytes Page：6 Pages	絲印：IRF7311；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The is the highest performance trench 2N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliability a 文件：2.087889 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
IRF7313	文件：547.15 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET HEXFET Power MOSFET 文件：547.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7313	文件：361.14 Kbytes Page：7 Pages	Dual N Channel MOSFET Features VDs(V=30V RpsoN) 文件：361.14 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
IRF7313TR	文件：361.14 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/irf7313/marking.html">IRF7313；Package：SOP-8；Dual N Channel MOSFET Features VDs(V=30V RpsoN) 文件：361.14 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
IRF7314	文件：147.52 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：147.52 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7314Q	文件：149.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, these HEXFET ? Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power MOSFET’s are a 175° 文件：149.71 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7316	文件：392.68 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/irf7316/marking.html">IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features ? Vbs(v)=-30V ? Roson) 文件：392.68 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
IRF7316	文件：3.06247 Mbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/f7316/marking.html">F7316；Package：SOP-8；-30V PP-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL FEATURES ● VDS = -30V b = -8 A ● ROS(ON) 文件：3.06247 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子	TECHPUBLIC
IRF7316	文件：364.15 Kbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel MOSFET Features Vs (v)=-30V Rpson) 文件：364.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
IRF7316	文件：237.94 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：237.94 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	IRF	IRF

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技術(shù)參數(shù)

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
30V
Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Drain
Channel Type：
P
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF731	SMG	05+	原廠原裝	53	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF731	哈里斯	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF731	哈里斯	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF731	哈里斯	25+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF731	IR/FSC	22+	D2-PAK	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IRF731	IR	23+		66504	##公司主營品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價(jià)
上海凌岳電子科技有限公司（上海涵恩科技）	IRF731	IR	2023+		3000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRF731	SEC	25+	TO-220	880000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF731	IR	23+	TO-220	7000		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IRF731	IR/FSC	25+	D2-PAK	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多IRF731供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:11:00

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