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IRF7207	文件：89.88 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：89.88 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：91.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207	文件：300 bytes Page：1 Pages	Generation 5 Technology	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF7207PBF	文件：150.26 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：150.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207TR	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：91.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207TRPBF	文件：1.94067 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ? VDS= -20V, ID= -13A RDS(ON) 文件：1.94067 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
IRF7207TRPBF	文件：177.2 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology 文件：177.2 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF7207
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF7207	IR	25+	SOP-8	20300	IR原裝特價(jià)IRF7207即刻詢(xún)購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢(xún)價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF7207	IR	05+	原廠原裝	6316	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市福安甌科技有限公司	IRF7207	IR	25+	SOP-8	2500	福安甌為您提供真芯庫(kù)存,真誠(chéng)服務(wù)	詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF7207	IOR	24+	SOP8	850		詢(xún)價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	IRF7207	IR	25+	PLCC/44	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢(xún)價(jià)
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上海鑫科潤(rùn)電子科技有限公司	IRF7207	IOR	03+	SOP/8	850	原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
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深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRF7207	IR	23+	SOP-8	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)

更多IRF7207供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 20:45:00

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