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首頁 >IRF6601>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??Power MOSFET(Vdss=20V) Description The IRF6601 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge 文件：130.08 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRF6601	文件：300 bytes Page：1 Pages	DirectFET? Power MOSFET(Vdss=20V)	Infineon 英飛凌	Infineon
LMH6601	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250 MHz, 2.4V CMOS Op Amp with Shutdown 文件：1.508 Mbytes 頁數(shù)：27 Pages	NSC 國半	NSC
LMH6601	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250 MHz, 2.4V CMOS Operational Amplifier with Shutdown 文件：1.56586 Mbytes 頁數(shù)：28 Pages	NSC 國半	NSC
LMH6601	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	250 MHz, 2.4V CMOS Operational Amplifier with Shutdown 文件：1.26795 Mbytes 頁數(shù)：37 Pages	TI 德州儀器	TI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF6601
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRF6601	Infineon Technologies	21+	DIRECTFET? MT	4800	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營)!	詢價(jià)
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更多IRF6601供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 8:26:00

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