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|---|---|---|---|---|
IRF6610 | HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM Description The IRF6610 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：243.15 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | |
IRF6610 | HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：247.66 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | IRF | IRF | ||
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MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Infineon 英飛凌 | Infineon |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
IRF6610
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
DirectFETSQ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
7000 |
詢價 | |||
IR |
2450+ |
DIRECTFET |
6540 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費(fèi)申請樣品 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
DIRECTF |
8650 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? SQ |
4800 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
65230 |
詢價 | ||||
IR |
25+ |
DIRECTFETMX |
2191 |
現(xiàn)貨 |
詢價 |
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