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IRF064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A?? Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designe 文件：107.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFI064	文件：226.56 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*) HEXFET? TRANSISTOR N-CHANNEL AVALANCHE ENERGY RATED AND dv/dt RATED 60 Volts, 0.017 Ohm HEXFET 文件：226.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFI064	文件：230.58 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：230.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFM064	文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) 文件：198.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF

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更多IRF064N供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 14:00:00