LM60CIM3X/NOPB Texas Instruments 80000PCS ，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 LM60CIM3X/NOPB 供貨情況 NTMFS1D3N04XMT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS1D3N04XMT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: 板上安裝溫度傳感器 RoHS: 輸出類型: Analog 準(zhǔn)確性: +/- 4 C 最小工作溫度: - 40 C 最大工作溫度: + 125 C
國天智聯(lián)；Pt100 溫度傳感器；Pt1000 傳感器；賀利氏，熱量表（簡稱熱表）是用于測量和計(jì)算熱量消耗的精密儀表，溫度傳感器作為熱表的核心部件，其可靠性、穩(wěn)定性和精度直接決定了熱量計(jì)量的準(zhǔn)確性。Yageo鉑電阻溫度傳感器能全面滿足這些特性。 Yageo 鉑電阻在熱表上的推薦： SMD安裝方式 ，工作范圍：-40°C ~ +150°C， 尺寸從1206 到0603 選擇多樣，阻值有Pt100 和Pt1000 兩種可選 PCB板集成式，常規(guī)溫度系數(shù)為3850 ppm/K，工作溫度范圍是
ITS436L2HKSA1 Infineon Technologies 800000PCS，Infineon 代理分銷 ITS436L2HKSA1 現(xiàn)貨10k ITS436L2HKSA1 代理 ITS436L2HKSA1 其他參數(shù)聯(lián)系客服 ITS436L2HKSA1 停產(chǎn)了嗎 ITS436L2HKSA1 現(xiàn)貨5k ITS436L2HKSA1 最小包裝 ITS436L2HKSA1 PDF文件 規(guī)格書 ITS436L2HKSA1 最新年份是什么時(shí)候 ITS436L2HKSA1 規(guī)格書
SP3232EEY-L/TR 80000PCS，參數(shù)類別 規(guī)格詳情 專業(yè)解讀 型號 SP3232EEY-L/TR SOIC-16窄體封裝，適合自動(dòng)貼片，便于生產(chǎn)。 供電電壓 +3.3V 直接與主流低功耗MCU、MPU的I/O電壓兼容，無需額外的電平轉(zhuǎn)換電路。 通道配置 2 Tx / 2 Rx 集成兩個(gè)獨(dú)立的收發(fā)通道，可同時(shí)處理一對完整的RS-232信號（如RXD/TXD/CTS/RTS）。 關(guān)鍵特性 內(nèi)置雙電荷泵 僅需3.3V單電源，內(nèi)部即可產(chǎn)生+5.5V至-5.5V的RS-232電平，無需外
TI LP5907MFX-3.3 800000 PCS，參數(shù)類別 規(guī)格詳情 專業(yè)解讀 型號 LP5907MFX-3.3/NOPB 固定3.3V輸出版本，SOT-23-5 (DBV) 小封裝。 輸出電壓 Fixed 3.3V 為3.3V系統(tǒng)核心（如MCU內(nèi)核、RF芯片、模擬前端）提供精準(zhǔn)、穩(wěn)定的電壓。 輸出電流 250mA 足以驅(qū)動(dòng)大多數(shù)低功耗射頻IC、傳感器和模擬模塊。 壓差電壓 110mV @ 100mA (典型) 在輕載下壓差極低，即使在輸入電壓略高于3.4V時(shí)也能穩(wěn)定工作，有助于降低系統(tǒng)總
MP9942AGJ-Z 800000PCS，參數(shù)類別 規(guī)格詳情 專業(yè)解讀 型號 MP9942AGJ-Z 符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，QFN-24 (4mmx4mm) 封裝，帶裸露散熱焊盤。 輸入電壓范圍 4.5V 至 36V 寬壓輸入，能輕松應(yīng)對工業(yè)24V總線、汽車電池（冷啟動(dòng)和負(fù)載突降）等劇烈波動(dòng)的電壓環(huán)境。 輸出配置 雙路獨(dú)立 兩個(gè)通道完全獨(dú)立，可輸出不同的電壓，為系統(tǒng)中的核心處理器、內(nèi)存、外設(shè)等分別供電。 每路輸出電流 高達(dá) 3A 單路持續(xù)輸出能力達(dá)3A，雙路可提供總計(jì)6A的強(qiáng)勁功率，滿足
W25Q16JVSSIQ 8000000PCS，參數(shù)類別 規(guī)格詳情 專業(yè)解讀 型號 W25Q16JVSSIQ 工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)型號，SOP-8 (208mil) 封裝 存儲容量 16 Mbit (2 MB) 靈活架構(gòu)：可配置為 Uniform 4KB Sectors, 32KB/64KB Blocks 接口協(xié)議 Standard/Dual/Quad SPI 支持多種模式，在Quad SPI下可實(shí)現(xiàn)等效104MHz時(shí)鐘，數(shù)據(jù)傳輸速率極高 工作電壓 2.7V - 3.6V 寬電壓范圍，兼容絕大多數(shù)3.
CC2640R2FRGZR Texas Instruments 800000PCS，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 CC2640R2FRGZR? 供貨情況 CC2640R2FRGZR產(chǎn)品購買 CC2640R2FRGZR中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: 射頻微控制器 - MCU RoHS: 核心: ARM Cortex M3 工作頻率: 2.4 GHz 數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit 程序存儲器大小: 128 kB
DS92LV0421SQE Texas Instruments 800000PCS ，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 DS92LV0421SQE 供貨情況 DS92LV0421SQE產(chǎn)品購買 DS92LV0421SQE 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: 串行器/解串器 - Serdes RoHS: 類型: Serializer 數(shù)據(jù)速率: 2.1 Gb/s 輸入類型: LVDS 輸出類型: CML 輸入端數(shù)
它以其堅(jiān)固的“體質(zhì)”、豐富的外設(shè)和成熟的生態(tài)，成為應(yīng)對嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境的可靠“工兵”。，核心參數(shù)一覽（專業(yè)速覽） 型號： NUC131SD2AE 內(nèi)核： Arm? Cortex?-M0 主頻： 50 MHz 工作電壓： 2.5V ~ 5.5V Flash： 64 KB SRAM： 8 KB 工業(yè)級溫度： -40℃ ~ 105℃ 通信接口： USB 2.0全速設(shè)備 最多4路UART 最多2路I2C 最多2路SPI CAN 2.0B 模擬外設(shè)： 12位ADC（最快1 MSPS），1
它以其納米級功耗、微型化方案和TI強(qiáng)大的工藝與技術(shù)支持，為工程師提供了一個(gè)經(jīng)過市場驗(yàn)證的、高性能的電源“芯”臟。，型號： TLV61220DBVR 封裝： SOT-23-5 (DBV) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)： 同步升壓 (Boost) 輸入電壓范圍： 0.7V - 5.5V 輸出電壓： 固定 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V (可選) 輸出電流： 高達(dá) 200mA (在 3.3Vout 時(shí)) 靜態(tài)電流： 僅 360 nA (典型值) 峰值效率： 高達(dá) 95%_開關(guān)頻率： 1.5 MHz (允
MLX90333KDC-BCT Melexis 800000PCS，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 MLX90333KDC-BCT? 供貨情況 MLX90333KDC-BCT 產(chǎn)品購買 MLX90333KDC-BCT中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Melexis 產(chǎn)品種類: 板機(jī)接口移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RoHS: 產(chǎn)品: Position Sensors 封裝 / 箱體: SOIC-8 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 資格: AEC-Q100 封裝: R
BSP296L6433HTMA1 60000PCS ，型號 BSP296L6433HTMA1 品牌 INFINEON/英飛凌 封裝 SOT223 FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 100 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 1.1A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 700 毫歐 @ 1.1A，10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最
BSP149 H6327 英飛凌 80000PCS，核心關(guān)鍵參數(shù) 負(fù)載電壓范圍： 8V 至 60V（寬壓設(shè)計(jì)，適用于24V/48V工業(yè)系統(tǒng)） 連續(xù)輸出電流： 最高 500mA 導(dǎo)通電阻： 典型值 0.5Ω（低導(dǎo)通損耗，發(fā)熱?。? 控制接口： 3.3V / 5V CMOS兼容的使能輸入，可直接連接微控制器GPIO，無需電平轉(zhuǎn)換。 集成保護(hù)功能： 過流限制： 內(nèi)置，保護(hù)芯片和負(fù)載。 過載與短路保護(hù)： 通過功率限制實(shí)現(xiàn)。 過溫關(guān)斷： 結(jié)溫超過閾值自動(dòng)關(guān)閉，溫度恢復(fù)后自動(dòng)重啟。 欠壓鎖定：
FM24W256-G CYPRESS 8000000PCS，核心關(guān)鍵參數(shù) 容量： 256 Kbit， 組織為 32,768 x 8位 （32KB） 接口： 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) I2C 接口，兼容性強(qiáng)。 工作電壓： 2.7V - 3.6V （寬壓，適合3.3V系統(tǒng)） 速度： 時(shí)鐘頻率： 最高 1 MHz （Fast Mode+） 寫入速度： 無延時(shí)寫入。像寫RAM一樣，無需頁寫等待周期，總線釋放后即完成寫入。 讀寫耐久性： 高達(dá) 10^14 次 （100萬億次） 讀寫周期，比EEPROM高出多個(gè)數(shù)量
XTR111AIDGQR 80000PCS，核心關(guān)鍵參數(shù) 輸出類型： 4-20mA 電流環(huán)路（可編程范圍 0-24mA） 輸入類型： 模擬電壓 電源電壓范圍： 7.5V 至 40V（寬壓設(shè)計(jì)，適應(yīng)復(fù)雜供電環(huán)境） 基準(zhǔn)電壓源： 集成 +2.5V / +5V 精密基準(zhǔn)電壓，可直接為外部傳感器供電。 輸出精度： 非線性誤差： 最大 ±0.002%_（極高線性度，保證信號不失真） 輸出漂移： 典型值 ±5ppm/°C （極低的溫漂，保證全溫度范圍內(nèi)精度） 設(shè)置精度： 滿量程范圍內(nèi)，典型誤差 ±0
MAX487ESA+T 美信 8000000PCS，核心關(guān)鍵參數(shù) 接口類型： RS-485 / RS-422 工作模式： 半雙工 電源電壓： +4.75V to +5.25V（標(biāo)準(zhǔn)5V供電） 低功耗特性： 靜態(tài)電流： 典型值 120μA 關(guān)斷模式電流： 典型值 0.1μA 數(shù)據(jù)傳輸速率： 最高 2.5Mbps ESD 保護(hù)： ±15kV（人體模型HBM），極大地提高了系統(tǒng)在安裝和操作過程中的可靠性。 節(jié)點(diǎn)數(shù)量： 最多允許 128 個(gè)收發(fā)器并接在同一總線上。 接收器輸入阻抗：
ITS42008SBDAUMA1 DSO-36 800000PCS，Infineon 代理分銷 ITS42008SBDAUMA1現(xiàn)貨10k ITS42008SBDAUMA1代理 ITS42008SBDAUMA1其他參數(shù)聯(lián)系客服 ITS42008SBDAUMA1停產(chǎn)了嗎 ITS42008SBDAUMA1 現(xiàn)貨5k ITS42008SBDAUMA1最小包裝 ITS42008SBDAUMA1 PDF文件 規(guī)格書 ITS42008SBDAUMA1 最新年份是什么時(shí)候 ITS42008SBDA
2ED2109S06FXUMA1 英飛凌 800000PCS，一，核心基礎(chǔ)參數(shù) 供電與輸出能力：該器件的工作電源電壓范圍為 10 - 20V，峰值輸出電流達(dá) 290mA，能為 IGBT 和 MOSFET 的柵極提供穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)電流。其功率耗散最大值為 625mW，可在低功耗狀態(tài)下保障驅(qū)動(dòng)過程的穩(wěn)定。 開關(guān)與延遲特性：它的最大上升時(shí)間為 150ns、最大下降時(shí)間為 80ns，快速的開關(guān)速度可減少驅(qū)動(dòng)過程中的能量損耗；最大開啟延遲時(shí)間 1030ns，最大關(guān)閉延遲時(shí)間 300ns，
NTMFS5C670NLT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5C670NLT1G? 供貨情況 NTMFS5C670NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C670NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 7
NTMFS5C646NLT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5C646NLT1G? 供貨情況 NTMFS5C646NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C646NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 8
NTMFS5C645NLT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5C645NLT1G? 供貨情況 NTMFS5C645NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C645NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流:
NTMFS5C628NLT3G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5C628NLT3G? 供貨情況 NTMFS5C628NLT3G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C628NLT3G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流:
2ED2184S06FXUMA1 是英飛凌推出的一款半橋高壓高速柵極驅(qū)動(dòng)器，專門適配功率 MOSFET、碳化硅 MOSFET 以及 IGBT，憑借出色的電氣性能和穩(wěn)定性，常用于各類需要高壓驅(qū)動(dòng)的電力電子場景，以下是其詳細(xì)介紹：，一，核心基礎(chǔ)參數(shù) 電壓與電流能力：VS 節(jié)點(diǎn)最高工作電壓達(dá) 650V，浮置通道適配高壓側(cè) N 溝道功率器件的驅(qū)動(dòng)需求；典型拉 / 灌電流均為 2.5A，具備強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力。電源電壓（VCC）適用范圍為 10 - 20V，同時(shí) VS 引腳邏輯在 - 11V 直流下仍可
ITS4300SSJDXUMA1 貼片 SOIC-8 電源開關(guān) IC - 配電 Infineon 代理分銷現(xiàn)貨商 一站式bom陪單， 產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性 制造商: Infineon 產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電 RoHS: 類型: High Side 輸出端數(shù)量: 1 Output 輸出電流: 400 mA 電流限制: 1.2 A 導(dǎo)通電阻—最大值: 300 mOhms 運(yùn)行時(shí)間—最大值: 140 us 空閑時(shí)間—最大值: 170 us
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