BUK9K25-40EX 是一款面向汽車及工業(yè)場景的 N 溝道功率 MOSFET，采用車規(guī)級工藝和封裝設(shè)計，適用于中低壓電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動和保護(hù)電路等場合，BUK9K25-40EX 功能與應(yīng)用簡介 BUK9K25-40EX 是一款面向汽車及工業(yè)場景的 N 溝道功率 MOSFET，采用車規(guī)級工藝和封裝設(shè)計，適用于中低壓電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動和保護(hù)電路等場合。 一、器件定位與主要功能 負(fù)載開關(guān) / 高邊、低邊驅(qū)動 用于控制直流電機(jī)、繼電器、電磁閥、燈具等中功率負(fù)載的通斷 可在車身控制模塊、動力總成控制單
LT3070MPUFD#PBF，商品概述 LT3070是一款低壓、超快速瞬態(tài)響應(yīng)線性穩(wěn)壓器。該器件可提供高達(dá)5A的輸出電流，典型壓差為85mV。0.01μF的基準(zhǔn)旁路電容可將輸出電壓噪聲降至25μVRMS。LT3070的高帶寬允許使用低ESR陶瓷電容，節(jié)省了大容量電容并降低了成本。LT3070的特性使其非常適合高性能FPGA、微處理器或?qū)﹄娫疵舾械耐ㄐ艖?yīng)用。 輸出電壓可在0.8至1.8V范圍內(nèi)以50mV的增量進(jìn)行數(shù)字選擇。裕量調(diào)節(jié)功能允許用戶以±1%、±3%或±5%的增量調(diào)節(jié)系統(tǒng)輸出電壓。該IC集成了獨
在便攜式藍(lán)牙音箱的緊湊設(shè)計中，一個高效、穩(wěn)定且能提供充沛功率的電源系統(tǒng)，是保證長續(xù)航與高品質(zhì)音頻輸出的基石。XBLW LM2577作為一款經(jīng)典的52KHz、3A升壓（Boost）DC/DC轉(zhuǎn)換器，憑借其寬輸入電壓范圍、高轉(zhuǎn)換效率與簡潔的外圍電路，成為連接電池與功放芯片之間的理想“能量，一、應(yīng)用簡介 解決藍(lán)牙音箱的供電痛點? ? ? 便攜藍(lán)牙音箱通常采用3.7V鋰電池供電，其電壓無法直接滿足多數(shù)D類功放芯片對更高電壓的需求，以獲得更大輸出功率和更好動態(tài)范圍。而XBLW LM2577是一款集成了3A、65V
在電源設(shè)計領(lǐng)域，高效率、高可靠性的DCDC降壓模塊一直是工程師關(guān)注的焦點。XBLW LM2596作為一款經(jīng)典的150kHz，3A降壓穩(wěn)壓芯片，以其優(yōu)異的性能和簡潔的外圍電路設(shè)計，廣泛應(yīng)用于各類電源系統(tǒng)中，一、XBLW LM2596 DCDC參數(shù)性能介紹 XBLW LM2596是一款單片集成的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，具備優(yōu)異的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)能力，最大輸出電流可達(dá)3A。該芯片提供3.3V、5V、12V固定輸出以及可調(diào)輸出版本，輸出電壓范圍可達(dá)1.23V至37V。 主要特性： ●輸入電壓范圍：6V~4
BQ40Z80RSMR 是德州儀器（TI）推出的一款多節(jié)鋰電池管理芯片，屬于智能電池管理（Fuel Gauge + Protection）方案。 ，BQ40Z80RSMR 是德州儀器（TI）推出的一款多節(jié)鋰電池管理芯片，屬于智能電池管理（Fuel Gauge + Protection）方案。 它主要用于多串鋰離子/鋰聚合物電池包的剩余電量計算、充放電狀態(tài)監(jiān)測、安全保護(hù)以及電池健康管理，常見于筆記本電腦電池包、移動設(shè)備電池組、電動工具、電池模組等場合。 這顆芯片集成度較高，既能完成電量計量，又能配合外圍
F280049PZSR TI(德州儀器) QFP-100(14x14) 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，F(xiàn)280049PZSR 品牌： TI(德州儀器) 封裝：QFP-100(14x14) 工作電壓：1.14V~1.32V 類目：單片機(jī)(MCU/MPU/SOC) F280049PZSR 是 TI（德州儀器）C2000? Piccolo 系列的 32 位實時控制 MCU，基于 C28x 內(nèi)核、100MHz 主頻，封裝為 LQFP?100，主打工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動與電力轉(zhuǎn)換，兼具浮點運算與豐富模擬
IS62WV51216BLL?55TLI 是一款低功耗 8Mb（512K × 16）靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM），適合對訪問速度和功耗要求較高的場合。下面內(nèi)容可以直接作為資料頁正文使用，注意根據(jù)你掌握的精確數(shù)據(jù)適當(dāng)微調(diào)數(shù)值即可，IS62WV51216BLL?55TLI 是一款低功耗 8Mb（512K × 16）靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM），適合對訪問速度和功耗要求較高的場合。下面內(nèi)容可以直接作為資料頁正文使用，注意根據(jù)你掌握的精確數(shù)據(jù)適當(dāng)微調(diào)數(shù)值即可。 一、產(chǎn)品應(yīng)用與功能簡介 IS62WV5121
NTMFS6H800NT1G 是 onsemi 推出的一款 N 溝道功率 MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能，適用于高效率開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)/繼電器驅(qū)動等中低壓功率應(yīng)用，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS6H800NT1G? 供貨情況 NTMFS6H800NT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS6H800NT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOIC-
NTMFS6H800NLT1G 是 onsemi 推出的一款 N 溝道功率 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)特性，適用于高效率開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動等中低壓功率應(yīng)用，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS6H800NLT1G? 供貨情況 NTMFS6H800NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS6H800NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: DFN-5
NTMFS6D1N08HT1G 是 onsemi 推出的一款 N 溝道功率 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能，適用于高效率開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS6D1N08HT1G? 供貨情況 NTMFS6D1N08HT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS6D1N08HT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4
BSP316PH6327XTSA1 是英飛凌推出的一款 小信號 P 溝道 MOSFET，適用于空間受限、對效率和開關(guān)特性要求較高的應(yīng)用場景，型號 BSP316PH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT-223 FET 類型 P 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 100 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 680mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時
NTMFS6H801NT1G 是安森美（onsemi）推出的一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 Power 33（或 SO?8FL/DFN 類）封裝，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)特性，適用于高效率電源管理和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場景，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS6H801NT1G? 供貨情況 NTMFS6H801NT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS6H801NT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD
TLE42664GHTMA2 是英飛凌推出的一款低壓差精密線性穩(wěn)壓器，適用于汽車電子等對供電穩(wěn)定性和可靠性要求較高的場合。，Infineon 代理分銷 TLE42664GHTMA2現(xiàn)貨10k TLE42664GHTMA2代理 TLE42664GHTMA2其他參數(shù)聯(lián)系客服 TLE42664GHTMA2停產(chǎn)了嗎 TLE42664GHTMA2現(xiàn)貨5k TLE42664GHTMA2最小包裝 TLE42664GHTMA2 PDF文件 規(guī)格書 TLE42664GHTMA2 最新年份是什么時候 TLE
BQ24610RGER TI(德州儀器) VQFN-24(4x4)?現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，BQ24610RGER 品牌：TI(德州儀器) 封裝： VQFN-24(4x4)? 工作電壓： 5V~28V 工作電流：10A 類目：電池管理 BQ24610RGER 是 TI 推出的獨立同步開關(guān)模式鋰電 / 鋰聚合物電池充電控制器，支持 5V–28V 輸入、最大 10A 充電電流，適配 1–6 節(jié)串聯(lián)鋰電，采用 VQFN?24 封裝，具備高精度充電與完善保護(hù)，適合工業(yè)便攜、儲能、電動工具等
TLE42662GNTMA1 穩(wěn)壓器 - 線性低壓差（LDO）穩(wěn)壓器 貼片SOT-223-4 一站式bom配單，TLE4484GTLE4484G Infineon 代理分銷 TLE4484GTLE4484G現(xiàn)貨10k TLE4484GTLE4484G代理 TLE4484GTLE4484G其他參數(shù)聯(lián)系客服 TLE4484GTLE4484G停產(chǎn)了嗎 TLE4484GTLE4484G現(xiàn)貨5k TLE4484GTLE4484G最小包裝 TLE4484GTLE4484
BSP321PL6327HTSA1 INFINEON/英飛凌 60000PCS ，型號BSP321PL6327HTSA1 品牌 INFINEON/英飛凌 封裝 SOT223 FET 類型 P 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 100 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 980mA（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 900 毫歐 @ 980mA，10V 不同 Id
TMUX6136 是一款具有兩個獨立可選 SPDT 開關(guān)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬開關(guān)，商品概述 TMUX6136 是一款具有兩個獨立可選 SPDT 開關(guān)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬開關(guān)。該器件在雙電源（±5V 至 ±16.5V）、單電源（10V 至 16.5V）或非對稱電源供電時均能正常運行。數(shù)字選擇引腳(SELx) 具有兼容晶體管到晶體管邏輯 (TTL) 的閾值，這些閾值可確保 TTL/CMOS 邏輯兼容性。 TMUX6136 會根據(jù) SELx 引腳的狀態(tài)將兩個輸入 (
2ED21091S06FXUMA1 是英飛凌專為驅(qū)動 N 溝道 MOSFET/SiC MOSFET 與 IGBT 的高低側(cè)拓?fù)湓O(shè)計，具備強抗擾、可編程死區(qū)與寬邏輯兼容，適用工業(yè)與汽車級 650V 功率變換場景。，一，適用范圍（按領(lǐng)域分類） 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動：三相逆變器、伺服驅(qū)動器、通用變頻器（適配 650V IGBT/SiC MOSFET）。 開關(guān)電源與 UPS：圖騰柱 PFC、LLC 諧振變換器、半橋 / 全橋離線 AC?DC、UPS 逆變器與電池充電器。 車
2EDL7125GXUMA1 由 Infineon 出品，屬于電源管理 IC 下的柵極驅(qū)動器（Gate Driver），歸為 EiceDRIVER?系列，用于驅(qū)動 MOSFET/IGBT/GaN 等功率器件的柵極，實現(xiàn)高效、可靠的開關(guān)控制，是電力電子與電機(jī)驅(qū)動的關(guān)鍵器件。，一，品牌 / 系列：Infineon EiceDRIVER?；品類：柵極驅(qū)動器（Gate Driver）；子類別：PMIC - 電源管理 IC。 二，封裝 / 包裝：常見卷帶（Reel）出貨，原廠料號后綴 “GXUMA1” 通常對
NTMFS006N12MCT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS006N12MCT1G? 供貨情況 NTMFS006N12MCT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS006N12MCT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V Id-連續(xù)漏極
NTMFS006N08MC，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS006N08MC? 供貨情況 NTMFS006N08MC? 產(chǎn)品購買 NTMFS006N08MC? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V Id-連續(xù)漏極電流: 32 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6 mOhms
UCC21520DWR TI(德州儀器) SOIC-16-300mil? 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，UCC21520DWR 品牌： TI(德州儀器) 封裝：SOIC-16-300mil? 工作電壓：3V~18V 通道數(shù)：2 類目：隔離式柵極驅(qū)動器 封裝與引腳：采用 SOIC（DW）-16 封裝，引腳鍍層 / 焊球材料為 NiPdAu。 主要特性 驅(qū)動能力強：具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出，可用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOS
SGL0622Z是一款低噪聲、高增益的單片微波集成電路（MMIC）低噪聲放大器（LNA），專為+2.7 V至+3.6 V的低功耗單電源工作而設(shè)計。，商品概述 SGL0622Z是一款低噪聲、高增益的單片微波集成電路（MMIC）低噪聲放大器（LNA），專為+2.7 V至+3.6 V的低功耗單電源工作而設(shè)計。它具備2級靜電放電（ESD）保護(hù)和高輸入過驅(qū)動能力，確保了可靠的性能，同時其集成的有源偏置電路可在溫度和工藝β值變化時保持穩(wěn)定的偏置。SGL0622Z在5 MHz至4000 MHz范圍內(nèi)實現(xiàn)了內(nèi)部匹配，僅
BSP170PE6327T 60000PCS ，型號 BSP170PE6327T 品牌 INFINEON/英飛凌 封裝 SOT223 FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）100 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 1.1A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 700 毫歐 @ 1.1A，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）1.8V
ITS724GFUMA1 是英飛凌 Industrial PROFET 系列的 4 通道高端智能功率開關(guān) IC，采用 Smart SIPMOS? 工藝，RoHS 合規(guī)，封裝為 PG-DSO-20（SOIC-20），卷帶 / 盤裝供應(yīng)，后綴 FUMA1 通常對應(yīng)包裝與批次標(biāo)識，主體功能與 ITS724G 一致，適合 12/24 V 工業(yè)配電與負(fù)載驅(qū)動，可替代，一，核心規(guī)格 工作電壓 VBB 覆蓋 5.5～40 V，兼容 12/24 V 工業(yè)總線并支持負(fù)載突降（需外接電阻）；工業(yè)級寬溫 - 3
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