1P1G3157QDCKRQ1 是一款車規(guī)級單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)芯片，可在兩路信號之間實現(xiàn) 1 選 2 的靈活切換。，1P1G3157QDCKRQ1 是德州儀器推出的一款汽車級單通道 SPDT 模擬開關(guān)（1 路 2:1 切換），采用 SC70?6 小封裝，適合在空間緊張的電路板上使用 134。 器件基于 CMOS 工藝設(shè)計，在 1.65V～5.5V 供電范圍內(nèi)工作，可用于模擬信號或數(shù)字信號的通道切換與復(fù)用 134。 典型應(yīng)用包括： 車載電子（車身控制、信息娛樂系統(tǒng)、傳感器信號切換等） 便攜
TLE4484G 是一款專為汽車電子設(shè)計的雙路電源穩(wěn)壓芯片，可在汽車電池電壓波動和干擾下，持續(xù)輸出穩(wěn)定電壓，為 MCU、傳感器等關(guān)鍵器件供電.，TLE4484GTLE4484G Infineon 代理分銷 TLE4484GTLE4484G現(xiàn)貨10k TLE4484GTLE4484G代理 TLE4484GTLE4484G其他參數(shù)聯(lián)系客服 TLE4484GTLE4484G停產(chǎn)了嗎 TLE4484GTLE4484G現(xiàn)貨5k TLE4484GTLE4484G最小包裝 TLE4484GTLE4484
BSP88E6327 是一款 NPN 小信號功率晶體管，具備低飽和壓降、快速開關(guān)特性和較高電流承載能力，適用于開關(guān)驅(qū)動、電平轉(zhuǎn)換、小功率放大等應(yīng)用.，型號 BSP88E6327 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT-223 FET 類型 P 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 250 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 430mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大
TLV61048DBVR SOT23-6 800000PCS，商品概述 TLV61048是一款非同步升壓轉(zhuǎn)換器，為采用低壓超級電容器和單節(jié)鋰離子電池供電的產(chǎn)品提供電源解決方案。TLV61048集成了一個典型電流限制為3.7 A的功率開關(guān)，可在不影響最大負(fù)載輸出能力的情況下，擴展輸入源的放電能力。 TLV61048可配置為600 kHz以實現(xiàn)更高效率，或配置為1 MHz以使用更小的電感和輸出電容。在輕載情況下，器件進(jìn)入PFM工作模式以實現(xiàn)更高效率。TLV61048內(nèi)置2 ms軟啟動功能，可將浪涌電
NTMFS5H600NLT1G MOSFET 81000PCS，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5H600NLT1G? 供貨情況 NTMFS5H600NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5H600NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOIC-8 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60
NTMFS5H431NLT1G 品牌：onsemi數(shù)量：800000PCS，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5H431NLT1G? 供貨情況 NTMFS5H431NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5H431NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿
NTMFS5H615NLT1G onsemi 800000PCS，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5H615NLT1G? 供貨情況 NTMFS5H615NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5H615NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿
NTMFS5H630NLT1G onsemi 80000000PCS，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5H630NLT1G? 供貨情況 NTMFS5H630NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5H630NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60
TLE42644G Infineon 800000PCS，Infineon 代理分銷 TLE42644G現(xiàn)貨10k TLE42644G代理 TLE42644G其他參數(shù)聯(lián)系客服 TLE42644G停產(chǎn)了嗎 TLE42644G現(xiàn)貨5k TLE42644G最小包裝 TLE42644G PDF文件 規(guī)格書 TLE42644G 最新年份是什么時候 TLE42644G規(guī)格書 TLE42644G電壓 TLE42644G電流 TLE42644G參數(shù) 陳嘉嘉18938923845 TLE4
2ED21091S06FXUMA1 英飛凌 880000PCS，一，核心參數(shù)與特性 該器件為高低側(cè)獨立輸出架構(gòu)，VS 節(jié)點耐壓 650V、VB 節(jié)點 675V，VS 負(fù)瞬態(tài)耐受約 100V、穩(wěn)態(tài)可至 - 11V（VCC=15V），無寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，抗閂鎖與噪聲免疫能力強，能穩(wěn)定工作于高壓半橋拓?fù)?。供電方面，VCC 工作范圍 10–20V，極限值 25V，適配工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電源；峰值拉電流約 + 290mA、灌電流約 - 700mA，關(guān)斷能力更強，可有效抑制柵極振蕩與開關(guān)損耗。時序
BSP317PL6327HTSA1 數(shù)量：60000PCS ，型號 BSP317PL6327HTSA1 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT-223 FET 類型 P 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 250 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 430mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時 Vgs(th
TLE42344GHTMA1 Infineon SOT223-4 80000PCS，TLE42344GHTMA1 Infineon 代理分銷 TLE42344GHTMA1現(xiàn)貨10k TLE42344GHTMA1代理 TLE42344GHTMA1其他參數(shù)聯(lián)系客服 TLE42344GHTMA1停產(chǎn)了嗎 TLE42344GHTMA1現(xiàn)貨5k TLE42344GHTMA1最小包裝 TLE42344GHTMA1 PDF文件 規(guī)格書 TLE42344GHTMA1最新年份是什么時候 TLE4
BSP296L6327HTSA1 60000PCS ，型號 BSP296L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT223 ET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 60 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 1.8A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最
2EDL8033G3CXTMA1 Infineon 80000PCS，2EDL8033G3CXTMA1 Infineon 代理分銷 2EDL8033G3CXTMA1現(xiàn)貨10k 2EDL8033G3CXTMA1代理 2EDL8033G3CXTMA1其他參數(shù)聯(lián)系客服 2EDL8033G3CXTMA1停產(chǎn)了嗎 2EDL8033G3CXTMA1現(xiàn)貨5k 2EDL8033G3CXTMA1最小包裝 2EDL8033G3CXTMA1 PDF文件 規(guī)格書 2EDL8033G3CXTMA1最新年份是什么
TXB0102DCUR TI(德州儀器) VSSOP-8-0.5mm? 800000PCS，TXB0102DCUR 是一款雙通道、自動方向檢測的電平轉(zhuǎn)換芯片，常見于 MCU、FPGA 與外設(shè)之間的邏輯電平匹配場景。它可以在兩側(cè)不同電壓之間進(jìn)行雙向轉(zhuǎn)換，比如把 1.2V / 1.8V / 2.5V / 3.3V 的信號轉(zhuǎn)換到 3.3V / 5V，常用于 I2C、GPIO、控制信號等低速/中速總線。 器件封裝為 VSSOP?8（TI 的 DCU 封裝），體積小，適合空間緊張的板卡設(shè)計。 主要功能特點
BSP297L6327HTSA1 60000PCS ，型號BSP297L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT-223 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）200 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 660mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 400μA
商品概述 OPA376系列代表了采用e-trim?技術(shù)的新一代低噪聲運算放大器，具備出色的直流精度和交流性能。軌到軌輸入輸出、低失調(diào)（最大25 μV）、低噪聲（7.5 nV/√Hz）、靜態(tài)電流最大950 μA以及5.5 MHz帶寬，使該器件在各種精密和便攜式應(yīng)用中極具吸引力。此外，該器件具有較寬的電源電壓范圍和出色的電源抑制比（PSRR），適合直接由電池供電且無需穩(wěn)壓的應(yīng)用。 OPA376（單通道版本）提供MicroSIZE SC70 - 5、SOT - 23 - 5和SOIC - 8封裝。OPA237
2EDL8023GXUMA1 柵極驅(qū)動器 貼片VDSON-8 一站式BOM配單，2EDL8023GXUMA1 Infineon 代理分銷 2EDL8023GXUMA1現(xiàn)貨10k 2EDL8023GXUMA1代理 2EDL8023GXUMA1其他參數(shù)聯(lián)系客服 2EDL8023GXUMA1停產(chǎn)了嗎 2EDL8023GXUMA1現(xiàn)貨5k 2EDL8023GXUMA1最小包裝 2EDL8023GXUMA1 PDF文件 規(guī)格書 2EDL8023GXUMA1最新年份是什么時候 2EDL8023GX
2SK3747-1E MOSFET TO-3PF-3 onsemi ， 產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 發(fā)貨限制： Mouser 目前在您所在地區(qū)不銷售該產(chǎn)品。 REACH - SVHC: 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-3PF-3 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV Id-連續(xù)漏極電流: 2 A
AD822AR 是 ADI 旗下一款雙路低功耗場效應(yīng)管輸入運算放大器，具備低失調(diào)電壓、低噪聲、軌到軌輸出等優(yōu)勢，適配單 / 雙電源供電模式，核心用于微弱差分信號的高精度放大，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療電子、工業(yè)控制、儀器儀表等多個領(lǐng)域，AD822AR 應(yīng)該用場景 醫(yī)療電子設(shè)備 該領(lǐng)域中很多設(shè)備需處理微伏到毫伏級的微弱生物電信號，AD822AR 的高輸入阻抗和低噪聲特性可精準(zhǔn)放大這類信號，同時抑制干擾。比如在心電圖機（ECG）中，它可作為前置放大器，將小于 1mV 的心電圖信號放大，搭配右腿驅(qū)動電路抵消 50Hz
每一顆均來自原廠TPS3840PL31DBVRQ1，TPS3840PL31DBVRQ1 是德州儀器推出的一款汽車級超低功耗高精度電壓監(jiān)控器，其型號中 “Q1” 代表符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合 300nA 的典型毫微級功耗、1.5%_的閾值精度以及 - 40°C 至 125°C 的寬溫工作特性，應(yīng)用場景既覆蓋汽車電子核心領(lǐng)域，也適配多種低功耗工業(yè)與民用電子設(shè)備，具體如下： 汽車電子領(lǐng)域 作為車規(guī)級器件，它是汽車各類電子控制系統(tǒng)電源穩(wěn)定性的關(guān)鍵保障。比如汽車的車載信息娛樂系統(tǒng)，該系統(tǒng)集成導(dǎo)航、音響等多個模塊，電壓
UCC27325DR 系列原裝正品，制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: 柵極驅(qū)動器 RoHS: 產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers 類型: Low-Side 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOIC-8 激勵器數(shù)量: 2 Driver 輸出端數(shù)量: 2 Output 輸出電流: 4 A 電源電壓-最小: 4 V 電源電壓-最大: 15 V 配置: Inverting, Non-Inverting 上升時
KSZ8041NL-TR，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 KSZ8041NL-TR? 供貨情況 KSZ8041NL-TR? 產(chǎn)品購買 KSZ8041NL-TR中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Microchip 產(chǎn)品種類: 以太網(wǎng) IC RoHS: 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: MLF-32 產(chǎn)品: Ethernet Transceivers 標(biāo)準(zhǔn): 10BASE-T, 100BASE-TX 收發(fā)器數(shù)量: 1 Transceiver 數(shù)據(jù)速率
IRF640NPBF，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 IRF640NPBF? 供貨情況 IRF640NPBF? 產(chǎn)品購買 IRF640NPBF中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Infineon 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-220-3 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
LM2776DBVR，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 LM2776DBVR供貨情況 LM2776DBVR? 產(chǎn)品購買 LM2776DBVR? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: 開關(guān)穩(wěn)壓器 RoHS: 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOT-23-6 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Boost 輸出電壓: - 5.5 V 輸出電流: 200 mA 輸出端數(shù)量: 1 Output 輸入電壓 - 最小值: 2.7 V
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