制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: HVMDIP-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1 A
Rds On-漏源導通電阻: 540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 8.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 9.4 ns
正向跨導 - 最小值: 0.8 S
高度: 3.37 mm
長度: 6.29 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 16 ns
系列: IRFD
工廠包裝數(shù)量：2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 6.9 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 1.821 g
