制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: ?詳細(xì)信息
REACH - SVHC: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 25 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 12.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 8.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Texas Instruments
配置: Dual
下降時(shí)間: 2.7 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 87 S / 51 S
高度: 1.5 mm
長(zhǎng)度: 6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 7 ns
系列: CSD87352Q5D
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5 mm
單位重量: 157.200 mg
