分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS?
包裝
卷帶（TR）
零件狀態(tài)
Digi-Key 停止提供
FET 類型
N-Channel, Depletion Mode
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
240 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
350mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6 歐姆 @ 350mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 108μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
5.7 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
108 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-SOT223-4
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
