AI驅(qū)動存儲與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革：2025年趨勢展望
在近日由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，分析師們圍繞AI對存儲及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動作用進(jìn)行了深入探討。隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，高算力需求已成為推動先進(jìn)制程和晶圓代工產(chǎn)業(yè)的重要動力，未來幾年內(nèi)存與半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪變革。
AI驅(qū)動高算力需求，先進(jìn)制程成關(guān)鍵
集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮指出，AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用已經(jīng)帶動高效能運(yùn)算芯片需求持續(xù)增長近兩年，高算力需求成為先進(jìn)制程和晶圓代工產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動力。自2025年起，除了傳統(tǒng)的AI芯片供應(yīng)商和云服務(wù)提供商（CSPs）自研芯片，內(nèi)存廠商也將加速與先進(jìn)制程晶圓代工廠的合作，以應(yīng)對AI帶來的高算力需求。
在全球區(qū)域競爭加劇的背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局正在發(fā)生深刻變化，先進(jìn)制程與封裝技術(shù)的競爭將成為未來的核心。與此同時，晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，包括IP、設(shè)計(jì)服務(wù)和封測生態(tài)的完善，也成為AI領(lǐng)域競爭的必要資源。
此外，隨著邊緣計(jì)算的發(fā)展，Edge AI（邊緣AI）有望為成熟制程注入新的活力，2025年在Cloud AI（云端AI）和Edge AI的雙重驅(qū)動下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將迎來新的變革。
AI服務(wù)器市場增長帶動內(nèi)存需求
集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪表示，隨著全球AI服務(wù)器市場需求的不斷提升，特別是云服務(wù)提供商和品牌廠商對AI基礎(chǔ)設(shè)施的持續(xù)投入，預(yù)計(jì)2025年AI服務(wù)器出貨量將增長至約15%。AI服務(wù)器的快速發(fā)展不僅推動了高性能計(jì)算芯片的需求，也對內(nèi)存和存儲市場產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
HBM市場：高需求下的競爭與機(jī)遇
HBM（高帶寬內(nèi)存）成為近年來內(nèi)存市場的熱點(diǎn)產(chǎn)品。集邦咨詢資深研究副總吳雅婷分析，從供給端來看，2024年全球內(nèi)存市場的生產(chǎn)位元增長率（Production bit growth）預(yù)計(jì)分別為：三星14%、SK海力士接近30%、美光23%、南亞16%。在DRAM產(chǎn)能方面，三星計(jì)劃到2025年將產(chǎn)能從今年底的120K提升至170K。
HBM作為高算力應(yīng)用的核心內(nèi)存產(chǎn)品，其市場需求仍然旺盛。吳雅婷指出，HBM的研發(fā)和良率提升難度較高，雖然市場預(yù)期增長較快，但供過于求的可能性較低。HBM的議價方式為一年一次，預(yù)計(jì)2024年價格將持續(xù)上漲，HBM3的滲透率也會進(jìn)一步提升，明年HBM3e的產(chǎn)出占比有望達(dá)到85%。
從市場份額來看，SK海力士和三星仍是HBM領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。SK海力士主要供應(yīng)英偉達(dá)H200和GB200，而三星則為英偉達(dá)H20和谷歌供貨。美光的HBM產(chǎn)能雖然較低，但驗(yàn)證狀況穩(wěn)定，預(yù)計(jì)明年將集中供應(yīng)MI325和GB300。
總體來看，HBM的快速滲透將顯著影響DRAM的供應(yīng)格局。與DDR5相比，HBM對晶圓的需求更高，這將進(jìn)一步推動內(nèi)存價格上漲。
Mobile DRAM：AI應(yīng)用帶來新機(jī)遇
在Mobile DRAM方面，LPDDR5正在逐漸成為智能手機(jī)的主流內(nèi)存，預(yù)計(jì)明年在智能手機(jī)中的占比將提升至55%。此外，AI應(yīng)用的興起也推動了LPDDR5在AI服務(wù)器中的需求增長。英偉達(dá)的Grace CPU采用onboard方式集成LPDDR5，未來還將推出LPDDR5X模組，預(yù)計(jì)明年LPDDR5X在AI服務(wù)器上的需求增長率將超過40%。
不過，這也將對智能手機(jī)市場產(chǎn)生一定影響。隨著LPDDR5X在AI服務(wù)器中的應(yīng)用增加，其在智能手機(jī)中的供應(yīng)可能受到排擠。總體來看，LPDDR5的價格表現(xiàn)將優(yōu)于LPDDR4，而LPDDR5X則因AI應(yīng)用的帶動，市場表現(xiàn)更為穩(wěn)健。
內(nèi)存市場展望：2024-2025年趨勢預(yù)測
吳雅婷表示，2025年DRAM市場產(chǎn)值有望創(chuàng)歷史新高，主要得益于HBM這一高價產(chǎn)品的滲透率提升。預(yù)計(jì)2025年HBM在內(nèi)存市場的營收占比將達(dá)到34%-40%。從供需關(guān)系來看，明年全球DRAM供給位元增長率預(yù)計(jì)為25%，需求增長率為23%，供需關(guān)系相對平衡。
在價格方面，2024年第四季度，由于終端廠商庫存去化，通用型DRAM（Conventional DRAM）價格持續(xù)下跌，每季度跌幅在3%-8%之間。明年上半年，消費(fèi)需求未見明顯回暖，DRAM價格仍將承壓，第一季度跌幅可能達(dá)到10%。不過，隨著供應(yīng)商調(diào)整產(chǎn)能，下半年DRAM價格有望逐步回升。
Mobile DRAM方面，LPDDR4X的供應(yīng)量較大，但隨著智能手機(jī)向LPDDR5遷移，其價格走勢將面臨一定壓力。而LPDDR5X在AI應(yīng)用中的需求增長將為其價格提供支撐。
HBM領(lǐng)域，HBM3e將成為明年的重點(diǎn)產(chǎn)品，占比有望超過80%。其中12hi產(chǎn)品價格相比8hi產(chǎn)品高出10%-15%。HBM的價格表現(xiàn)主要取決于各廠商在英偉達(dá)供應(yīng)鏈中的份額。
總結(jié)
AI技術(shù)的快速發(fā)展正在深刻改變存儲與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。2025年，隨著Cloud AI和Edge AI的雙重驅(qū)動，內(nèi)存與晶圓代工市場將迎來新的增長點(diǎn)。HBM的快速滲透、高性能DRAM的需求增長，以及AI服務(wù)器的持續(xù)發(fā)展，都將成為推動行業(yè)前進(jìn)的重要動力。
然而，市場競爭也在加劇，內(nèi)存廠商需要在供需平衡、產(chǎn)能規(guī)劃和技術(shù)創(chuàng)新上做出更為精準(zhǔn)的布局。未來幾年，誰能在HBM和AI相關(guān)內(nèi)存領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢，將直接決定其在內(nèi)存市場的地位與盈利能力。
