Structera X 2404通過先進的CXL技術(shù)不僅重新利用DDR4內(nèi)存條，還可幫助服務(wù)器制造商、數(shù)據(jù)中心運營們減少對更先進內(nèi)存的依賴，既能降低采購成本又可擴充內(nèi)存容量。DDR4內(nèi)存再利用，也能夠在一定程度上緩解當(dāng)前DDR5內(nèi)存供不應(yīng)求的形勢。
CXL內(nèi)存模組陸續(xù)量產(chǎn)，有望下半年開始爆發(fā)
三星電子存儲部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理 Choi Jang-seok近日表示，CXL市場預(yù)計將在今年下半年蓬勃發(fā)展，到2028年CXL市場將迅速增長，CXL將成為存儲器行業(yè)的主流。
早在2021年5月，三星電子開發(fā)出全球首款基于CXL的DRAM技術(shù)；2022年推出業(yè)界首款基于CXL 1.1的512GB CXL DRAM；2023年5月開發(fā)出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM；今年第二季度推出支持CXL 2.0的256GB CMM-D產(chǎn)品，計劃今年年底之前批量生產(chǎn)。
今年3月，三星電子透露正研發(fā) CMM-H 混合存儲 CXL模組。該模組同時包含DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存。原型 CMM-H 將配備基于 FPGA 的 CXL 1.1 控制器，采用 E3.L 2T 規(guī)格，最大容量 4TB，最大帶寬 8GB/s。另外，三星第一代CMM-D搭載支持CXL2.0的SoC的，計劃在2025年發(fā)布搭載第二代控制器、容量為128GB的新產(chǎn)品。
對AI服務(wù)器至關(guān)重要的技術(shù)是CXL，它能有效提升系統(tǒng)帶寬和處理能力。SK海力士通過CXL Memory Module-DDR5 4（CMM-DDR5）充分展示了CXL產(chǎn)品的強大優(yōu)勢。與僅采用DDR5的系統(tǒng)相比，它能給系統(tǒng)帶寬和容量帶來極為顯著的提升。
去年8月，美光宣布推出CZ120內(nèi)存擴展模塊，基于CXL2.0Type3標準，采用最新的PCIe5.0x8接口，并且外形符合E3.S2T規(guī)格。CZ120內(nèi)存擴展模塊內(nèi)部搭載了Microchip的SMC2000微控制器，并使用了1α工藝節(jié)點生產(chǎn)的DRAM芯片。提供128GB和256GB兩種容量選擇。CZ120內(nèi)存擴展模塊具備出色的帶寬性能，可以提供高達36GB/s的帶寬。在特定的工作負載中，如數(shù)據(jù)庫軟件，CZ120內(nèi)存擴展模塊的優(yōu)勢更加明顯。
另外，國內(nèi)廠商方面，今年江波龍展出一款基于Compute?Express?Link?(CXL)技術(shù)的創(chuàng)新內(nèi)存擴展設(shè)備——CXL?2.0?AIC內(nèi)存擴展卡。這款擴展卡采用非DRAM?on-board封裝設(shè)計，可兼容多種容量和規(guī)格的直插式內(nèi)存條。它不僅支持CXL1.1標準，實現(xiàn)單個計算節(jié)點服務(wù)器線纜直連的直插式內(nèi)存條擴展，還兼容CXL2.0標準，支持多個計算節(jié)點服務(wù)器集群與存儲池線纜直連的直插式內(nèi)存池化，從而滿足多樣化的應(yīng)用場景需求。
小結(jié)：
Yole統(tǒng)計顯示，全球CXL市場預(yù)計從2022年的170萬美元增長2028年的150億美元。處理器方面英特爾發(fā)布全新的至強6700E系列處理器，提供了對CXL 2.0技術(shù)的支持。CXL 2.0卻新增了一系列面向安全、合規(guī)、高可靠方面的特性，更適合應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心。三星支持CXL 2.0的256GB CMM-D產(chǎn)品也將于今年底前量產(chǎn)。同時，各大廠商都在研發(fā)支持CXL3.0的處理器、CXL DRAM等產(chǎn)品，從而將內(nèi)存擴展內(nèi)存技術(shù)的更多特性帶入數(shù)據(jù)中心，加速CXL的應(yīng)用，畢竟AI對于存儲的需求已時不我待。
