制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 171 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 227 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 517 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 84 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 162 S
高度: 20.7 mm
長(zhǎng)度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 119 ns
400
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 47 ns
典型接通延遲時(shí)間: 27 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
