AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求，也對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲(chǔ)大廠技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。
閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另?yè)?jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，三星未來(lái)第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。
而更遙遠(yuǎn)的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash，鎧俠則計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。
內(nèi)存方面，存儲(chǔ)大廠瞄準(zhǔn)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)以及3D DRAM。
今年3月美光在財(cái)報(bào)中透露，目前絕大多數(shù)DRAM顆粒處于1α與1β先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，下一代1γ DRAM將引入EUV光刻機(jī)，已經(jīng)進(jìn)行了試生產(chǎn)。
三星DRAM芯片工藝處于1b nm級(jí)別，近期媒體報(bào)道三星計(jì)劃在年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM量產(chǎn)，將采用極紫外光（EUV）技術(shù)制造。2025年三星還將進(jìn)入3D DRAM時(shí)代，該公司已經(jīng)對(duì)外展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項(xiàng)3D DRAM技術(shù)。
SK海力士同樣也在布局3D DRAM，此前《BusinessKorea》去年報(bào)道，SK海力士提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料。據(jù)業(yè)界人士表示，IGZO是由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，IGZO 的最大優(yōu)勢(shì)是其低待機(jī)功耗，這種特點(diǎn)適合要求長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間的DRAM芯晶體管。通過(guò)調(diào)節(jié)In、Ga、ZnO等三個(gè)成分的組成比，很容易實(shí)現(xiàn)。
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