根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia的研究報(bào)告，隨著全球需求復(fù)蘇，韓國內(nèi)存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結(jié)束減產(chǎn)。
Omdia在報(bào)告中指出，三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調(diào)升至60萬片，環(huán)比增長13%；預(yù)計(jì)下半年將DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM產(chǎn)量恢復(fù)到削減前的水平。SK海力士將把每月平均DRAM晶圓投入量從第一季度的39萬片增加到第二季度的41萬片；下半年預(yù)計(jì)該公司的DRAM晶圓投入量將增加至45萬片。
同時，近來內(nèi)存和存儲產(chǎn)品紛紛漲價。在內(nèi)存方面，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞近日報(bào)道，因中國客戶接受存儲芯片廠商的漲價要求，2024年1月指標(biāo)性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價為每個1.85美元左右，環(huán)比上漲9%，4Gb產(chǎn)品價格為每個1.40美元左右，環(huán)比上漲8%，價格皆為連續(xù)第三個月?lián)P升。
在存儲產(chǎn)品方面，根據(jù)韓國媒體的報(bào)道，三星計(jì)劃今年二季度將企業(yè)級SSD價格在一季度價格基礎(chǔ)上上調(diào)20%-25%，原計(jì)劃漲幅為15%左右，但由于需求“超預(yù)期激增”，這家存儲巨頭決定調(diào)高漲幅。
量價齊升，全球存儲市場的新一輪周期開始了。
存儲產(chǎn)品的周期性
作為大宗的半導(dǎo)體元器件，存儲產(chǎn)品的周期效應(yīng)是非常明顯的，且受到三星、SK海力士和美光三大存儲巨頭的干預(yù)效果很明顯。
存儲產(chǎn)品的類型非常多，不過一般大家所談的存儲產(chǎn)品主要指DRAM存儲器和Flash閃存芯片。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球存儲器市場規(guī)模占據(jù)半導(dǎo)體市場的23.17%。自2003年以來，除個別年份高于25%達(dá)到30%，這些年這一比例的變動范圍基本在20%-25%。
由于占比很大，因此在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性中，存儲產(chǎn)品屬于波動幅度最大的一個細(xì)分類別。在上行周期頂部的時候，比如2010、2017年，全球存儲產(chǎn)品銷售額同比增長55%、61%，當(dāng)然下行的時候存儲產(chǎn)品也不含糊，曾在2019年遭遇了銷售額同比下滑33%的情況。
因而，存儲產(chǎn)品的波動性是非常明顯的，總是處于上升或下降周期內(nèi)。造成這種情況的原因在于，存儲產(chǎn)品作為大宗半導(dǎo)體產(chǎn)品，需求量非常大，產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化程度非常高，但是和市場用戶之間的黏性卻很低。換句話說，在存儲市場，消費(fèi)者實(shí)際上話語權(quán)是很弱的，基本是頭部廠商靠產(chǎn)能調(diào)配來影響周期。
根據(jù)中原證券的統(tǒng)計(jì)，過去的二十幾年里，存儲產(chǎn)品的周期底部分別為2002年、2008年、 2011年、2015年、2019年和2023年，周期頂部分別為2004年、2010年、2014年、2017年和2021年。由此不難看出，當(dāng)前我們正處于全球存儲產(chǎn)品的上行周期內(nèi)，預(yù)計(jì)下一個產(chǎn)業(yè)周期頂部將會在2025年出現(xiàn)。
那么，和以往周期里一樣，存儲廠商在上行周期內(nèi)，不僅會大幅提升產(chǎn)品的產(chǎn)能，同時也會盡可能地提升價格，從而在整個上行周期中獲取最大的利益。
量價齊升的背后
在CFMS|MemoryS 2024峰會上，深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒就曾預(yù)測，“今年存儲市場開始重新回到正軌，存儲價格呈平穩(wěn)上升的趨勢，再加上先進(jìn)技術(shù)以及新興市場的應(yīng)用，存儲行業(yè)正在從‘價格’走入‘價值’周期，我們預(yù)計(jì)今年市場規(guī)模將同比提升42%以上?！?/p>
在本輪價值周期里，這一波的存儲產(chǎn)品量價齊升預(yù)計(jì)將創(chuàng)造一個很大的價值量增長。我們文章開篇已經(jīng)提到了一些信息，我們再深入看一下。2023年上半年，三星和SK海力士等存儲大廠承受了巨大的產(chǎn)業(yè)壓力，由于產(chǎn)能利用率不足，三星電子負(fù)責(zé)芯片業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門出現(xiàn)了4.58萬億韓元（約合34億美元）的大規(guī)模營業(yè)虧損，這是十幾年來的首次。同樣，SK海力士也是業(yè)績承壓，在2023年第一季度凈虧損約2.59萬億韓元（約合19億美元），該季度SK海力士經(jīng)營虧損達(dá)3.40萬億韓元，創(chuàng)下公司單季經(jīng)營虧損紀(jì)錄。
在巨大的壓力虧損壓力下，三星、SK海力士和美光終于在2023年4月份開始對外宣布減產(chǎn)，隨后減產(chǎn)規(guī)模逐月增加。到2023年7月，三星電子表示，考慮到存儲芯片行業(yè)減產(chǎn)力度加大，預(yù)計(jì)存儲芯片市場將逐漸走向穩(wěn)定，而客戶的庫存調(diào)整可能會逐漸結(jié)束。隨后，全球存儲產(chǎn)業(yè)開始逐漸進(jìn)入供不應(yīng)求的階段，價格開始走高。
上面提到，在這一輪周期中，DDR內(nèi)存的漲勢在10%左右。根據(jù)集邦咨詢的報(bào)告，NAND閃存和SSD固態(tài)硬盤的漲勢則更為迅猛。相關(guān)報(bào)告里的數(shù)據(jù)指出，2024年第一季度，全球NAND閃存市場估計(jì)漲價約23%-28％，其中3D閃存晶圓、消費(fèi)級SSD、企業(yè)級SSD的漲幅均在23%-28％之間，eMMC/USF的漲幅則在25%-30%。報(bào)告預(yù)計(jì)，進(jìn)入第二季度，全球閃存市場依然有13%-18％的漲價空間。
對于2024年，三星、SK海力士和美光均表達(dá)了樂觀的態(tài)度。三星電子表示，2024全年存儲業(yè)務(wù)將會繼續(xù)復(fù)蘇，消費(fèi)電子設(shè)備單機(jī)存儲容量增加、AI投資擴(kuò)大、服務(wù)器需求逐漸復(fù)蘇等是主要推動力。SK海力士則指出，該公司將專注于AI用存儲器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，順應(yīng)高性能DRAM需求的增長趨勢，同時將DDR5和LPDDR5等高性能、高容量產(chǎn)品應(yīng)用到服務(wù)器和移動端市場。
因此，實(shí)際上新一輪存儲產(chǎn)業(yè)周期也有一些不一樣的地方，那就是背后的推動力將由傳統(tǒng)的PC和智能手機(jī)，變?yōu)锳I大模型。不僅是在訓(xùn)練端，同時AI大模型將反哺終端設(shè)備，塑造AI手機(jī)和AI PC等新式產(chǎn)品理念，帶來高性能存儲的需求。國開證券研報(bào)指出，隨著各類AI延伸應(yīng)用，DRAM及NANDFlash在智能手機(jī)、服務(wù)器、筆記本電腦等單機(jī)平均搭載容量均將顯著增長。
