先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急；HBM產(chǎn)值比重預(yù)估；美光公布最新業(yè)績(jī)

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HBM產(chǎn)值比重預(yù)估
NAND Flash合約價(jià)預(yù)測(cè)
先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急
美光公布最新業(yè)績(jī)
12英寸晶圓廠投資火熱
SK海力士HBM3E量產(chǎn)
六家半導(dǎo)體企業(yè)IPO新進(jìn)展

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HBM產(chǎn)值比重預(yù)估

由于HBM售價(jià)高昂、獲利高，進(jìn)而造就廣大資本支出投資。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長(zhǎng)約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。

TrendForce集邦咨詢(xún)觀察，以HBM產(chǎn)能來(lái)看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達(dá)約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會(huì)依據(jù)驗(yàn)證進(jìn)度與客戶(hù)訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來(lái)看，目前SK海力士于HBM3市場(chǎng)比重逾9成，而三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《研報(bào) | 2024全年HBM供給位元年增預(yù)估高達(dá)260%，產(chǎn)能將占DRAM產(chǎn)業(yè)14%》

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NAND Flash合約價(jià)預(yù)測(cè)

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，在NAND Flash漲價(jià)將持續(xù)至第二季的預(yù)期下，部分供應(yīng)商為了減少虧損、降低成本，并寄望于今年重回獲利。今年三月起鎧俠/西部數(shù)據(jù)率先將產(chǎn)能利用率恢復(fù)至近九成，其余業(yè)者均未明顯增加投產(chǎn)規(guī)模。

TrendForce集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，為應(yīng)對(duì)下半年旺季需求，加上鎧俠/西部數(shù)據(jù)本身庫(kù)存已處低水位，本次擴(kuò)大投產(chǎn)主要集中112層及部分2D產(chǎn)品，有望在今年實(shí)現(xiàn)獲利，并進(jìn)一步帶動(dòng)2024年NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)位元年增率達(dá)10.9%...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《研報(bào) | NAND Flash合約價(jià)漲幅最新預(yù)測(cè)：自Q2起將收斂至10~15%》

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先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急

3月18日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電將在臺(tái)灣地區(qū)嘉義科學(xué)園區(qū)先進(jìn)封裝廠新廠加大投資，園區(qū)將撥出六座新廠用地給臺(tái)積電，比原本預(yù)期的四座多兩座，總投資額逾5000億新臺(tái)幣（約合人民幣1137億元），主要擴(kuò)充晶圓基片芯片（CoWoS）先進(jìn)封裝產(chǎn)能。另?yè)?jù)其他媒體消息顯示，臺(tái)積電正考慮在日本建設(shè)先進(jìn)的芯片封裝產(chǎn)能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術(shù)引入日本。

3月18日晚間，臺(tái)積電官方雖未證實(shí)六座新廠及日本擴(kuò)建封裝廠的消息，但其表示，因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電計(jì)劃先進(jìn)封裝廠將進(jìn)駐嘉義科學(xué)園區(qū)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急！》

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美光公布最新業(yè)績(jī)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月20日，存儲(chǔ)大廠美光科技公布截止2024年2月29日的2024財(cái)年第二季度業(yè)績(jī)。受惠于人工智能AI對(duì)HBM的強(qiáng)烈需求，美光科技該財(cái)季意外實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)虧為盈，且本季財(cái)測(cè)優(yōu)于預(yù)期。

數(shù)據(jù)顯示，美光科技2024財(cái)年第二季度收入為58.2億美元，上一季度為47.3億美元，去年同期為36.9億美元，同比增長(zhǎng)約57.7%，增速遠(yuǎn)超第一財(cái)季的15.6%，高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外，2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)高于預(yù)期》

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12英寸晶圓廠投資火熱

盡管近期市場(chǎng)傳出英特爾等半導(dǎo)體大廠推遲美國(guó)晶圓廠投運(yùn)的消息，但是隨著市場(chǎng)需求逐漸回溫，以及AI等高性能應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，全球晶圓廠尤其是12英寸晶圓廠的投資熱潮仍在繼續(xù)。

近期，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）對(duì)外表示，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算、汽車(chē)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm（12英寸）晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，達(dá)1165億美元，增長(zhǎng)20%，2027年將達(dá)到1370億美元，增長(zhǎng)5%。

近年，包括臺(tái)積電、三星電子、英飛凌、英特爾、鎧俠、美光等廠商都在增加12英寸晶圓廠產(chǎn)線。今年以來(lái)，多家12英寸晶圓廠迎來(lái)新進(jìn)展...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《12英寸晶圓廠投資熱潮持續(xù)》

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SK海力士HBM3E量產(chǎn)

2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開(kāi)始向客戶(hù)供貨。這是公司去年8月宣布開(kāi)發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個(gè)月取得的成果。

HBM3E不僅滿(mǎn)足了用于AI的存儲(chǔ)器必備的速度規(guī)格，也在散熱等所有方面都達(dá)到了全球最高水平。此產(chǎn)品在速度方面，最高每秒可以處理1.18TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)，其相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級(jí)電影...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《全球首次投入量產(chǎn)，SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E開(kāi)始向客戶(hù)供貨》

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六家半導(dǎo)體企業(yè)IPO最新進(jìn)展

近日，半導(dǎo)體IPO板塊動(dòng)作頻頻。志橙股份、英諾賽科、匯成真空、聯(lián)明電源、萊普科技、捷?？萍嫉榷嗉野雽?dǎo)體企業(yè)IPO申請(qǐng)迎來(lái)新進(jìn)展，涉及領(lǐng)域涵蓋射頻、芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料等。

3月17日，志橙半導(dǎo)體更新了一版招股書(shū)（申報(bào)稿），并對(duì)首輪問(wèn)詢(xún)、第二輪問(wèn)詢(xún)、第三輪問(wèn)詢(xún)的回復(fù)內(nèi)容進(jìn)行了更新。志橙股份計(jì)劃募資8億元，其中3.15億元將用于SiC材料研發(fā)制造總部項(xiàng)目，2.87億元用于SiC材料研發(fā)項(xiàng)目，1.98億元用于發(fā)展和科技儲(chǔ)備資金。

2月28日，證監(jiān)會(huì)披露了關(guān)于同意匯成真空首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊(cè)的批復(fù)，同意匯成真空創(chuàng)業(yè)板IPO注冊(cè)申請(qǐng)。本次擬募集資金約2.35億元，分別用于研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目、真空鍍膜研發(fā)中心項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金項(xiàng)目...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《六家半導(dǎo)體企業(yè)IPO最新進(jìn)展！》

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)