AI浪潮之下，以HBM為代表的高附加值DRAM芯片重要性不斷凸顯。
存儲(chǔ)器是韓國(guó)支柱性產(chǎn)業(yè)之一，為抓住AI機(jī)遇持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展，近期，韓媒報(bào)道韓國(guó)將HBM指定為國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)，并將為三星電子等相關(guān)廠商提供稅收優(yōu)惠。
據(jù)悉，韓國(guó)中小企業(yè)可享受高達(dá)40%至50%的減免，三星電子等中大型企業(yè)可享受高達(dá)30%至40%的減免。
HBM三分天下，原廠開發(fā)進(jìn)度一覽
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，屬于圖形DDR內(nèi)存的一種，與傳統(tǒng)DRAM芯片相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢(shì)，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計(jì)算場(chǎng)景，因而近年備受存儲(chǔ)大廠重視。
目前HBM市場(chǎng)以三星、SK海力士與美光三家存儲(chǔ)大廠主導(dǎo)，自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問(wèn)世至今，HBM技術(shù)順利從HBM、HBM2、HBM2E向HBM3、HBM3e迭代。
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2023年HBM市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為市場(chǎng)主流。
HBM3e進(jìn)度依據(jù)時(shí)間軸排列如下表所示，美光已于2023年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士已于2023年8月中提供8hi（24GB）樣品、三星則于2023年10月初提供8hi（24GB）樣品。
至于更高規(guī)格的HBM4，集邦咨詢預(yù)計(jì)其有望于2026年推出。目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端業(yè)者）在未來(lái)的產(chǎn)品應(yīng)用上，規(guī)格和效能將更優(yōu)化。
例如，隨著客戶對(duì)運(yùn)算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數(shù)上，除了現(xiàn)有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發(fā)展，更高層數(shù)也預(yù)估帶動(dòng)新堆棧方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi產(chǎn)品將于2026年推出；而16hi產(chǎn)品則預(yù)計(jì)于2027年問(wèn)世。
滿足需求，原廠積極擴(kuò)產(chǎn)
隨著英偉達(dá)、AMD等廠商不斷推出高性能GPU產(chǎn)品，三大原廠也在積極規(guī)劃相對(duì)應(yīng)規(guī)格的HBM量產(chǎn)。
此前，媒體報(bào)道為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，三星已收購(gòu)三星顯示（Samsung Display）韓國(guó)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購(gòu)買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬(wàn)億韓元。
美光科技位于臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)中四廠已于2023年11月初正式啟用。美光表示，臺(tái)中四廠將整合先進(jìn)探測(cè)與封裝測(cè)試功能，量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品，從而滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算及云端等各類應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。該公司計(jì)劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。
SK海力士在其最新財(cái)報(bào)中表示，去年在DRAM方面，公司以牽引市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應(yīng)對(duì)了客戶需求，結(jié)果公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長(zhǎng)4倍和5倍以上。同時(shí)，為順應(yīng)高性能DRAM需求的增長(zhǎng)趨勢(shì)，SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲(chǔ)器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應(yīng)于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。
來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察 原作者：奉穎嫻
封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)
