專(zhuān)為晶圓級(jí)IGBT/功率MOSFET（GaN、SiC、Si）器件測(cè)量而設(shè)計(jì)的新型TESLA200晶圓上功率半導(dǎo)體探測(cè)系統(tǒng)可提供高達(dá)3 kV（三軸）/10 kV（同軸）和200 A（標(biāo)準(zhǔn)）/600 A（高電流）的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。憑借下一代測(cè)試能力、防電弧解決方案、晶圓自動(dòng)化以及對(duì)工程探針和T.I.P.S.“LuPo”高壓/高功率探針卡的支持，TESLA200現(xiàn)在能夠通過(guò)全自動(dòng)薄化/翹曲/TAIKO晶圓加載實(shí)現(xiàn)完整的熱測(cè)試（-55°C至300°C）。一個(gè)系統(tǒng)涵蓋了從研發(fā)到利基生產(chǎn)的所有晶圓上高功率測(cè)試需求。
新型TESLA200有半自動(dòng)和全自動(dòng)兩種型號(hào)，可擴(kuò)展且可現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)，可滿(mǎn)足任何預(yù)算要求。該系統(tǒng)是盡可能快地收集單個(gè)或體積晶片上高精度測(cè)量數(shù)據(jù)的理想選擇，可用于研發(fā)、器件表征/建模
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