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          涉及GaN/SiC等領(lǐng)域,安徽將建設(shè)多個半導(dǎo)體重磅“芯”平臺

          2022-11-21 15:09:00
          • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 碳化硅 氮化鎵

          (以下簡稱“通知”》。

          《通知》指出,按照工作部署,在各有關(guān)高校申報的基礎(chǔ)上,決定立項(xiàng)建設(shè)安徽省集成電路產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心、 安徽省傳感器產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心、安徽省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心、安徽省半導(dǎo)體與智能傳感產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心等。

          涉及GaN/SiC等領(lǐng)域,安徽將建設(shè)多個半導(dǎo)體重磅“芯”平臺

          其中,安徽省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心是以池州學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院(半導(dǎo)體學(xué)院)為依托,以池州華宇電子科技股份有限公司為主要參建企業(yè),同時聯(lián)合南京信息工程大學(xué)、安徽安芯電子科技股份有限公司、安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司組建的省級科研創(chuàng)新平臺。

          該研究中心立足于第三代半導(dǎo)體材料(GaN/SiC)性能、新型半導(dǎo)體封測技術(shù)、大功率器件等關(guān)鍵技術(shù)研究,進(jìn)行新技術(shù)開發(fā)與創(chuàng)新,致力于推進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的大尺寸襯底量產(chǎn),提升第三代半導(dǎo)體器件性能,促進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)更新?lián)Q代,推動大功率器件發(fā)展,對推動安徽省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級具有重要意義。

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