產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 580 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2400 W
封裝 / 箱體: 62 mm
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標(biāo): Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
工廠包裝數(shù)量: 10
子類別: IGBTs
技術(shù): Si
商標(biāo)名: TRENCHSTOP
寬度: 61.4 mm
零件號別名: SP000370613 FF450R12KT4HOSA1
單位重量: 340 g
