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FQU10N20L	文件：576.23 Kbytes Page：9 Pages	200V LOGIC N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor?’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high 文件：576.23 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQU10N20L	文件：330.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=7.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.36Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：330.56 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FQU10N20L	文件：937.15 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET 文件：937.15 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQU10N20LTU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多FQU10N20L供應(yīng)商更新時間2026-1-21 10:32:00