Axial Vitreous Leaded Wirewound Resistors with CECC Approval

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fdpf4d5n10c/marking.html">FDPF4D5N10C；Package：TO-220F；N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 m廓

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fdpf8d5n10c/marking.html">FDPF8D5N10C；Package：TO-220F；N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 100 V, 76 A, 8.5 m廓

文件：1.02235 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 75V，242A，2.35m?

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 1.96mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A\n?低 FOM RDS(on)*QG\n?低反向恢復(fù)電荷，Qrr\n?反向恢復(fù)軟體二極管\n?使能高效同步整流\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，Power Trench? MOSFET，60V，265A，2.5mΩ

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 1.9m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A\n?快速開(kāi)關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體