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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDPF4D5N10C	文件：1.02386 Mbytes Page：8 Pages	絲印：FDPF4D5N10C；Package：TO-220F；N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 m廓文件：1.02386 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDPF4D5N10C	文件：243.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：243.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDPF4D5N10C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，100V，128A，4.5mΩ This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench? process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. ? Max RDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 128 A\n? Power Density & Shielded GatePower Density & Shielded GateHigh efficiency / High performance\n? High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)\n? High power density with Shielded gate technology\n? Extremely Low Reverse Recovery Charg;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDP4D5N10C	文件：1.02386 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 m廓文件：1.02386 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDP4D5N10C	文件：301.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.25 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
128
PD Max (W)：
37.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
48
Ciss Typ (pF)：
3615
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市納立科技有限公司	FDPF4D5N10C		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	FDPF4D5N10C	ON(安森美)	2447	TO-220-3	315000	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	FDPF4D5N10C	ON	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝假一罰十現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多FDPF4D5N10C供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 23:00:00

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