單 P 溝道，邏輯電平，PowerTrench? MOSFET，-20V，-2A，70mΩ

此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。 這些器件非常適合負載開關、功率管理、電池充電電路和DC/DC轉換等便攜式電子應用。 ?-2A，20V RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -4.5 VRDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -4.5 V\n?低柵極電荷（7.2nC典型值）\n? RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -4.5 V\n?高功率版本的工業(yè)標準SOT-23封裝。 相同的SOT-23引腳，可將功率處理能力提高30%。\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n? RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = -2.5 V;

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安森美半導體