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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDN340	文件：273.55 Kbytes Page：8 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET General Description This P -Channel Logic Level MOSFET is produced using FairchildSemiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switchingperformance. Feature s · –2A, 20 文件：273.55 Kbytes 頁數：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDN340	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel, Logic Level,PowerTrench? MOSFET General Description\nThis?P -Channel? Logic Level? MOSFET is produced using FairchildSemiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switchingperformance.Feature s\n·? –2A, 20 V?? RDS(ON)=	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDN340	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET	XW 芯微半導體	XW
FDN340P	文件：273.55 Kbytes Page：8 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET General Description This P -Channel Logic Level MOSFET is produced using FairchildSemiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switchingperformance. Feature s · –2A, 20 文件：273.55 Kbytes 頁數：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDN340P	文件：312.81 Kbytes Page：7 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench? MOSFET General Description This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited f 文件：312.81 Kbytes 頁數：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
FDN340P	文件：406.48 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ● TrenchFET Power MOSFET ● Supper high density cell design 文件：406.48 Kbytes 頁數：3 Pages	UMW 友臺半導體	UMW
FDN340P	文件：351.63 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ● TrenchFET Power MOSFET ● Supper high density cell design APPLICATION ※ Battery protection ※ Load switch ※ Battery management 文件：351.63 Kbytes 頁數：3 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
FDN340P	文件：211.6 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET 文件：211.6 Kbytes 頁數：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDN340P_07	文件：211.6 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET 文件：211.6 Kbytes 頁數：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDN340P-NL	文件：1.039829 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.039829 Mbytes 頁數：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

技術參數

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
-1.5
ID Max (A)：
-2
PD Max (W)：
0.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
70
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7.2
Ciss Typ (pF)：
779
Package Type：
SOT-23-3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	FDN340	FAIRCHILD/FSC/仙童飛兆半	24+	SOT-23	6200	新進庫存/原裝	詢價
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更多FDN340供應商更新時間2026-1-18 16:30:00

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