N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，150V，12A，56mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化，適用通態(tài)電阻優(yōu)化，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）\n? 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）\n? 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS= 4.5 V，ID = 3.7 A）? \n? 低rDS(on)和高效的高級硅封裝\n? 下一代先進(jìn)體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計(jì)\n? MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

文件：263.73 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

文件：671.71 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：353.74 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

文件：178.9 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體