N 溝道，Power Trench? MOSFET，150V，4.5A，55mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越的開關(guān)性能而量身定制。 ?VGS = 10 V且ID = 4.5A時(shí)，最大rDS(on) = 55 m? \n?VGS = 6 V且ID = 3.7A時(shí)，最大rDS(on) = 80 m? \n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?廣泛使用的表面貼裝封裝中的高功率和高電流處理能力。\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

文件：263.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

文件：671.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

BYCHIP

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：353.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

ISC

無(wú)錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

文件：178.9 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體