N 溝道屏蔽門極 PowerTrench? MOSFET 150V，16A，51mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ? Shielded Gate MOSFET Technology\n?VGS = 10 V，ID = 4.6 A時，最大rDS(on) = 51 mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 3.9 A時，最大rDS(on) = 70 mΩ\n?先進的封裝和硅技術(shù)完美融合，實現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?MSL1耐用封裝設(shè)計\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Max rDS(on) = 51 m廓 at VGS = 10 V, ID = 4.6 A

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，150V，12A，56mΩ

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進 PowerTrench?工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化，適用通態(tài)電阻優(yōu)化，卻仍保持卓越的開關(guān)性能。 ? ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）\n? 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）\n? 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS= 4.5 V，ID = 3.7 A）? \n? 低rDS(on)和高效的高級硅封裝\n? 下一代先進體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計\n? MSL1 耐用封裝設(shè)計\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體