N 溝道，雙 CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET，100V，60A，7.5mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體先進的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，該工藝融入了柵極屏蔽技術(shù)。先進的硅技術(shù)和 Dual Cool? 封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同時通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。 ?柵極屏蔽 MOSFET 技術(shù)\n?Dual Cool?頂側(cè)冷卻PQFN封裝\n?VGS = 10 V，ID = 14.5 A時，Max rDS(on) = 7.5 mΩ\n?VGS = 6 V，ID = 11.5 A時，最大rDS(on) = 12mΩ\n?通態(tài)電阻 rDS(on)極低的高性能技術(shù)\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體