N 溝道，PowerTrench? MOSFET，40V，300A，0.85mΩ

此 N 溝道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)阻抗并保持卓越的開(kāi)關(guān)性能而定制的。 ? 最大 rDS(on) = 0.85 mΩ（VGS = 10 V、ID = 47 A）\n? 最大 rDS(on) = 1.2 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 38 A）\n? 先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了低 rDS(on)和高效率\n?MSL1 強(qiáng)健封裝設(shè)計(jì)\n?100% 經(jīng)過(guò) UIL 測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fdms8350let/marking.html">FDMS8350LET；Package：Power56；MOSFET N??hannel POWERTRENCH

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

QFN

FAIRCHILD/仙童

上傳：深圳市吉銘電子科技有限公司

DFN5x6

FAIRCHI

上傳：深圳市亞泰盈科電子有限公司

Power 56

INFINEON

英飛凌

上傳：深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司