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首頁 >FDMS030N06B>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FDMS030N06B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道，PowerTrench? MOSFET，60V，100A，3mΩ 此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 2.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A\n?先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了低 RDS(on) 和高效率\n?快速開關(guān)速度\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FDMS030N06B	文件：243.24 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 100A, 3m? 文件：243.24 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP030N06	文件：487.8 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 193A, 3.2m? 文件：487.8 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FDP030N06	文件：332.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=195A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.1mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.6 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FDP030N06B	文件：748.44 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 195A, 3.1m 文件：748.44 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
100
PD Max (W)：
104
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
75
Ciss Typ (pF)：
6585
Package Type：
PQFN-8

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	FDMS030N06B	FAIRCHILD		MLP5X6	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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更多FDMS030N06B供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 9:11:00

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