isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=195A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.1mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

無錫固電

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 193A, 3.2m?

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，Power Trench? MOSFET，60V，193A，3.2mΩ

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 2.6m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 195A, 3.1m

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，60V，195A，3.1mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體先進的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 ?RDS(on) = 2.67mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 100A\n?低 FOM RDS(on)*QG\n?低反向恢復電荷，Qrr = 78nC\n?反向恢復軟體二極管\n?使能高效同步整流\n?快速開關(guān)速度\n?100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體