N 溝道，屏蔽門極，PowerTrench? MOSFET，80V，126A，4.0mΩ

N 溝道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先進 PowerTrench? 工藝制造而成，該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝已優(yōu)化實現(xiàn)最小的通態(tài)電阻，同時通過業(yè)界最佳的軟體二極管保持卓越的開關(guān)性能。 ? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)\n? 最大值 rDS(on) = 4.0 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）\n? 最大值 rDS(on) = 10.4 mΩ（VGS = 6 V, ID = 22 A 時）\n? 比其他 MOSFET 供應商的 Qrr 低 50%\n? 降低了開關(guān)噪聲/EMI\n? MSL1 強健封裝設計\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n? 符合 RoHS 標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

文件：1.19227 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

ONSEMI

安森美半導體

MOSFET - Power, Single N-Channel, DUAL COOL, DFN8 80 V, 4.0 m, 136 A

文件：407.12 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

ONSEMI

安森美半導體

QFN

FAIRCHILD/仙童

上傳：深圳市澳億芯電子科技有限公司

QFN-56

FAIRCHILD

仙童半導體

上傳：深圳市創(chuàng)博偉業(yè)科技有限公司