N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，20A，2.2mΩ

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專(zhuān)為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。 該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 ?VGS = 10V，ID = 20A時(shí)，最大rDS(on) = 2.2mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 18 A時(shí)，最大rDS(on) = 3.3mΩ\n?高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?終端是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛產(chǎn)品;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH? MOSFETs

Dual Cool? packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ?exibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

文件：1.16337 Mbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Power Trench? SyncFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

General Description The FDMC7660S has been designed to minimize losses in power conversion applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an

文件：377.46 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

文件：288.51 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道，雙 CoolTM 33 PowerTrench? MOSFET，30V，40A，2.2mΩ

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。先進(jìn)的硅技術(shù)和 Dual CoolTM 封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同時(shí)通過(guò)極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。 ?Dual CoolT 頂側(cè)冷卻 PQFN 封裝\n?最大 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 22 A）\n?VGS = 4.5 V，ID = 18 A時(shí)，Max rDS(on) = 3.3 mΩ\n?極低 rDS(on)的高性能技術(shù)\n?終端是符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛產(chǎn)品;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道，Power Trench? SyncFET?，30V，20A，2.2mΩ

FDMC7660S設(shè)計(jì)用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)完美融合，在保持卓越開(kāi)關(guān)性能的同時(shí)，提供了最低的 rDS(on)。 該器件具有高效單片肖特基體二極管的新增優(yōu)點(diǎn)。 ? 最大值 rDS(on)=2.2 mΩ（需 VGS=10 V、ID=20 A\n? 最大值 rDS(on)=2.95 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID=18 A\n?高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端無(wú)引線(xiàn)且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體