N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 2.3 A, 144 m廓

文件：301.54 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：1.00826 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導體

N 溝道，屏蔽門極，Power Trench? MOSFET，150 V，2.3 A，144 mΩ

這一N溝道MOSFET器件采用飛兆半導體的高級PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為實現(xiàn)rDS(on)、開關(guān)性能以及堅固性而優(yōu)化。 ?VGS = 10 V且ID = 2.3A時，最大rDS(on) = 144 m? \n?VGS = 6 V，ID = 1.9 A時，最大rDS(on) = 188 mO\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?廣泛使用的表面貼裝封裝中的高功率和高電流處理能力。\n?快速開關(guān)速度\n?100%經(jīng)過UIL測試\n?符合RoHS標準;

ONSEMI

安森美半導體

N-Channel Power Trench? MOSFET 150 V, 9.4 A, 134 m廓

文件：324.51 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體

SINGLE-CHIP DUAL PROSLIC?

Si32260/1 Features ? Two complete FXS channels in a single 6 x 8 mm or 8 x 8 mm package ? Performs all BORSCHT functions ? Ideal for short- or long-loop applications ? Ultra low power consumption ? Internal balanced or unbalanced ringing ? Patented low power ringing ? Adaptive ringing ? S

文件：1.2334 Mbytes 頁數(shù)：59 Pages

SKYWORKS

思佳訊

N-Channel Power Trench MOSFET

文件：239.46 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半導體