600V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

600V N-Channe MOSFET 600V, 20A, 190m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET?，F(xiàn)RFET?，600 V，20 A，190 m?，D2PAK

SuperFET?MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體第一代利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET 系列產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化傳導(dǎo)損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET產(chǎn)品非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用。SuperFET FRFET?MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。 ?650V @TJ = 150°C\n?典型值RDS(on) = 150mΩ\n?超低柵極電荷（典型值Qg = 75nC )\n?低有效輸出電容（典型值Coss.eff = 165pF )\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道 MOSFET 600V，20A，190mΩ，

SuperFETTM作為 Fairchild 高壓 MOSFET 系列的新一代專利產(chǎn)品，采用先進(jìn)的電荷平衡機(jī)制，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻并實(shí)現(xiàn)更低的柵極電荷性能。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)專用于最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，以及承受極端高的 dv/dt 電壓變化率和更高的雪崩能量值。因此，SuperFET 非常適用于開關(guān)模式運(yùn)行下的各種 AC/DC功率轉(zhuǎn)換，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的微型化以及更高的效率 ?典型值 rDS(on) = 171 mΩ（VGS= 10 V、ID = 20 A）\n?典型Qg(tot)=78nC（VGS=10V、ID=20A）\n?UIS 能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體