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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
DS1220AD-85IND	文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages	64k Nonvolatile SRAM 文件：147.62 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	DALLAS	DALLAS
DS1220Y	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	16K Nonvolatile SRAM 文件：258.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
DS1220Y	文件：207.33 Kbytes Page：9 Pages	16k Nonvolatile SRAM 文件：207.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1220Y-100+	文件：207.33 Kbytes Page：9 Pages	16k Nonvolatile SRAM 文件：207.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1220Y-100IND+	文件：207.33 Kbytes Page：9 Pages	16k Nonvolatile SRAM 文件：207.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS1220AB	文件：300 bytes Page：1 Pages	16k非易失SRAM DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。 NV SRAM可以用來(lái)直接替代現(xiàn)有的2k x 8 SRAM，符合通用的單字節(jié)寬、24引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。器件還與2716 EPROM及2816 EEPROM的引腳排列匹配，可直接替換并增強(qiáng)其性能。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。 ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)\n? 直接替代2k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM \n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作 \n? JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的24引腳DIP封裝 \n? 100ns的讀寫存取時(shí)間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1220AD) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1220AB) \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND;	ADI 亞德諾	ADI
DS1220AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	16k非易失SRAM DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。 NV SRAM可以用來(lái)直接替代現(xiàn)有的2k x 8 SRAM，符合通用的單字節(jié)寬、24引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。器件還與2716 EPROM及2816 EEPROM的引腳排列匹配，可直接替換并增強(qiáng)其性能。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。 ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)\n? 直接替代2k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM \n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作 \n? JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的24引腳DIP封裝 \n? 100ns的讀寫存取時(shí)間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1220AD) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1220AB) \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND;	ADI 亞德諾	ADI
DS1220AB-100+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	AD 亞德諾	AD
DS1220AB-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	AD 亞德諾	AD
DS1220AB-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	AD 亞德諾	AD

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技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品系列：
DS
封裝外形：
HC-49S
標(biāo)稱頻率：
12.288000MHz
負(fù)載電容：
18pF
頻率穩(wěn)定度_@25℃：
-30~+30ppm
工作溫度范圍：
-20~+70℃
溫頻特性：
-30~+30ppm
尺寸/長(zhǎng)x寬：
11.40 x 4.70mm
高度/厚度：
3.60mm
切型：
AT Cut
振動(dòng)模式：
Fundamental
諧振電阻：
40Ω
靜態(tài)電容：
5.0pF
存儲(chǔ)溫度范圍：
-40~+85℃
輸出波形：
Sine Wave
激勵(lì)功率：
100μW
引腳數(shù)：
2Pins
絕緣電阻_ @ DC100V：
500 MΩ
年老化率_ppm/10Years：
-5.0~+5.0ppm/year
封裝技術(shù)：
Resistance Weld
包裝類型：
Bag Packing
載帶標(biāo)準(zhǔn)：
N/Amm
載盤尺寸：
N/A
最小包裝數(shù)：
200Pcs
安裝方式：
Through Hole
主要材質(zhì)：
Quartz Crystal
品牌國(guó)別：
China
原始制造商：
Failong Crystal Technology Co.
印字類型：
Laser
凈重：
0.4g
美國(guó)海關(guān)關(guān)稅編碼：
8541600030
歐洲進(jìn)口關(guān)稅編碼：
8541600000
別名：
--

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	DS1220		24+		5000		詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	DS1220	DS	05+	原廠原裝	4285	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	DS1220	DS	23+		65480		詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	DS1220		24+	DIP	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市恒達(dá)億科技有限公司	DS1220	DS	25+	DIP	3200	全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	DS1220	DALLAS	23+	原廠正規(guī)渠道	5000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	DS1220	DS	26+	模塊	3562	代理全系列銷售,全新原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì),長(zhǎng)期供應(yīng),量大可訂	詢價(jià)
深圳市樂(lè)峰達(dá)科技有限公司	DS1220	TT/OPTEK	25+	NA	10000	全新原裝正品、可開增票、可溯源、一站式配單	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	DS1220AD-200IND+	MAXIM	13+	MOD	3758	原裝分銷	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	DS1220Y-200	DALLAS	DIP	95+	2	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)

更多DS1220供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-23 10:50:00

技術(shù)參數(shù)

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