| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙路共漏極、24mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合柵格陣列 (LGA) 封裝的雙路NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 設(shè)計(jì)為在最小外形尺寸中最大限度地降低電阻。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置，非常適合小型手持設(shè)備中 由電池供電的 應(yīng)用。 ? 共漏極配置\n? 低導(dǎo)通電阻\n? 1.35mm × 1.35mm 小外形封裝\n? 無(wú)鉛且無(wú)鹵素 \n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) \n? 人體放電模式 (HBM) 靜電放電 (ESD) 保護(hù) > 2.5kV; | TI 德州儀器 | TI | ||
采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、14mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD85312Q3E 是一款設(shè)計(jì)用于適配器或 USB 輸入保護(hù)的 20V 共源、雙路 N 通道器件。 此類(lèi) SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏極到漏極導(dǎo)通電阻，這大大減少了損耗并且為空間受限的多節(jié)電池充電類(lèi)應(yīng)用提供低組件數(shù)量。 ? 共源連接\n? 節(jié)省空間的小外形尺寸無(wú)引線 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封裝\n? 低熱阻\n? 無(wú)鉛端子電鍍\n? 無(wú)鹵素; | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Dual
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
27
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
26
- QG typ (nC)：
4.2
- QGD typ (nC)：
1
- Package (mm)：
SON2x2
- VGS (V)：
10
- VGSTH typ (V)：
0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
5
- ID - package limited (A)：
5
- Logic level：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TexasInstruments |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
23+ |
WSON6 |
8650 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)! |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
25+23+ |
PICOSTA |
26752 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI |
16+ |
VSON |
10000 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
6-WDFN |
3612 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
2447 |
WSON-6 |
115000 |
3000個(gè)/圓盤(pán)一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨, |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
25+ |
4-LGA |
6675 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件! |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
21+ |
WSON6 |
24702 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI(德州儀器) |
2021+ |
WSON-FET-6 |
499 |
詢(xún)價(jià) |
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- PERICOMPI7C8150
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