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CSD85302L | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/85302/marking.html">85302;Package:PICOSTAR;CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Common Drain Configuration ? Low On-Resistance ? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm ? Pb Free and Halogen Free ? RoHS Compliant ? ESD HBM Protection >2.5 kV 2 Applications ? USB Type-C/PD ? Battery Management ? Battery Protection 3 Description This 20 V, 18.7 mΩ, 1. 文件:474.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD85302L | 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:418.64 Kbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
絲印:85302;Package:PICOSTAR;CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Common Drain Configuration ? Low On-Resistance ? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm ? Pb Free and Halogen Free ? RoHS Compliant ? ESD HBM Protection >2.5 kV 2 Applications ? USB Type-C/PD ? Battery Management ? Battery Protection 3 Description This 20 V, 18.7 mΩ, 1. 文件:474.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/85302/marking.html">85302;Package:PICOSTAR;CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Common Drain Configuration ? Low On-Resistance ? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm ? Pb Free and Halogen Free ? RoHS Compliant ? ESD HBM Protection >2.5 kV 2 Applications ? USB Type-C/PD ? Battery Management ? Battery Protection 3 Description This 20 V, 18.7 mΩ, 1. 文件:474.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/85302/marking.html">85302;Package:PICOSTAR;CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Common Drain Configuration ? Low On-Resistance ? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm ? Pb Free and Halogen Free ? RoHS Compliant ? ESD HBM Protection >2.5 kV 2 Applications ? USB Type-C/PD ? Battery Management ? Battery Protection 3 Description This 20 V, 18.7 mΩ, 1. 文件:474.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:418.64 Kbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD85302L | 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙路共漏極、24mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合柵格陣列 (LGA) 封裝的雙路NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 設(shè)計(jì)為在最小外形尺寸中最大限度地降低電阻。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置,非常適合小型手持設(shè)備中 由電池供電的 應(yīng)用。 ? 共漏極配置\n? 低導(dǎo)通電阻\n? 1.35mm × 1.35mm 小外形封裝\n? 無(wú)鉛且無(wú)鹵素 \n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) \n? 人體放電模式 (HBM) 靜電放電 (ESD) 保護(hù) > 2.5kV; | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration:
Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
24
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
37
- QG typ (nC):
6
- QGD typ (nC):
1.4
- Package (mm):
LGA 1.35x1.35mm
- VGS (V):
10
- VGSTH typ (V):
0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
7
- ID - package limited (A):
7
- Logic level:
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
PICOSTAR-4 |
21000 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價(jià) | ||
TI |
24+ |
PICOSTAR-4 |
32000 |
原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
TI |
23+ |
(YME)-4 |
30000 |
全新原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
PICOSTAR-4 |
20000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價(jià) | ||
TI |
25+23+ |
PICOSTA |
26752 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
TI |
16+ |
PICOSTAR |
10000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
2447 |
PICOSTAR-4 |
115000 |
3000個(gè)/圓盤(pán)一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨, |
詢價(jià) | ||
TI |
25+ |
4-LGA |
6675 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件! |
詢價(jià) | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè) |
詢價(jià) |
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- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
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- TD62308
- TD62308APG
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