| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
絲印：85302；Package：PICOSTAR；CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Common Drain Configuration ? Low On-Resistance ? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm ? Pb Free and Halogen Free ? RoHS Compliant ? ESD HBM Protection >2.5 kV 2 Applications ? USB Type-C/PD ? Battery Management ? Battery Protection 3 Description This 20 V, 18.7 mΩ, 1. 文件：474.29 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/85312e/marking.html">85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1FEATURES ? Common Source Connection ? Low Drain to Drain On-Resistance ? Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package ? Optimized for 5 V Gate Drive ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Pb-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free APPLICATIONS ? Adaptor or USB I 文件：1.20772 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/85312e/marking.html">85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1FEATURES ? Common Source Connection ? Low Drain to Drain On-Resistance ? Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package ? Optimized for 5 V Gate Drive ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Pb-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free APPLICATIONS ? Adaptor or USB I 文件：1.20772 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.16601 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.13431 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.16601 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：418.64 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：418.64 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
Dual 20 V N-Channel NexFE Power MOSFETs 文件：1.46103 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.4649 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Dual
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
27
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
26
- QG typ (nC)：
4.2
- QGD typ (nC)：
1
- Package (mm)：
SON2x2
- VGS (V)：
10
- VGSTH typ (V)：
0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
5
- ID - package limited (A)：
5
- Logic level：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TexasInstruments |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
TI |
23+ |
WSON6 |
8650 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
TI |
25+23+ |
PICOSTA |
26752 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | |||
TI |
16+ |
VSON |
10000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
6-WDFN |
3612 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
TI(德州儀器) |
2447 |
WSON-6 |
115000 |
3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨, |
詢價 | ||
TI |
25+ |
4-LGA |
6675 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
TI |
21+ |
WSON6 |
24702 |
詢價 | |||
TI(德州儀器) |
2021+ |
WSON-FET-6 |
499 |
詢價 |
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- SE1
- PI7C8150B
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- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
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