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首頁 >BUZ35>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BUZ354	文件：181.34 Kbytes Page：6 Pages	main ratings Description SIPMOS, N-channel, enhancement mode 文件：181.34 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BUZ355	文件：208.39 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS? Power Transistor ? N channel ? Enhancement mode ? Avalanche-rated 文件：208.39 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BUZ355	文件：348.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：348.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ355	文件：103.99 Kbytes Page：4 Pages	Enhancement mode N channel Enhancement mode Avalanche-rated 文件：103.99 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BUZ356	文件：207.24 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS? Power Transistor ? N channel ? Enhancement mode ? Avalanche-rated 文件：207.24 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BUZ356	文件：348.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：348.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ357	文件：68.99 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) ? N channel ? Enhancement mode ? Avalanche-rated 文件：68.99 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BUZ357	文件：347.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive 文件：347.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ358	文件：348.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.6Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive 文件：348.53 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ358	文件：68.26 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) ? N channel ? Enhancement mode ? Avalanche-rated 文件：68.26 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BUZ35
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
main ratings

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BUZ35		24+	TO-3	10000		詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BUZ35	MOT	23+	TO-3	7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	BUZ350	SIEM	24+/25+		230	原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	BUZ357	INFINEON	25+	TO-3P	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	BUZ357	XI.M.Z	16+	TO-3P	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	BUZ358	inf	24+		21322	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	BUZ353	PHILPS	24+	TO-3	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	BUZ355	infineon	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價(jià)
上海意淼電子科技有限公司	BUZ357	SEMTECH	23+	TO220	12000	全新原裝假一賠十	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	BUZ35A	西門子	18+	TO-220	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)

更多BUZ35供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:30:00

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