絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/j2x/marking.html">J2x；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Low on-resistance N-Channel MOSFET Low input capacitance Fast switching speed ESD Protection

文件：1.96228 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

TECHPUBLIC

臺(tái)舟電子

N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

zFeatures 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) ESD protected 2KV HBM zApplications Interfacing, switching (50V, 100mA)

文件：2.85611 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

TUOFENG

拓鋒半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET

Features VDS (V) = 50V ID = 200 mA (VGS = 10V) RDS(ON)

文件：1.10935 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages

EVVOSEMI

翊歐

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：198.44 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE

文件：160.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

UTC

友順

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ss/marking.html">SS；Package：SOT-23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件：485.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

DIODES

美臺(tái)半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ss/marking.html">SS；Package：SOT-23；Plastic-Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.00653 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ss/marking.html">SS；Package：SOT-23；N Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.65045 Mbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

FUTUREWAFER

N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，50V，220mA

該N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這款產(chǎn)品旨在最大限度地降低導(dǎo)通阻抗，同時(shí)提供穩(wěn)固、可靠、快速的開(kāi)關(guān)性能。 BSS138特別適合低壓、低電流應(yīng)用（如小型伺服電機(jī)控制、功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器）以及其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。 ?0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5 ? @ VGS = 10 V. RDS(ON) = 6.0 ? @ VGS = 4.5 V\n?高密度單元設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(ON)。\n?堅(jiān)固而可靠。\n?緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美臺(tái)半導(dǎo)體