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首頁(yè) >BFP720>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFP720	文件：1.84071 Mbytes Page：26 Pages	C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor Product Brief The BFP720 is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4 V and currents up to IC = 25 mA. The d 文件：1.84071 Mbytes 頁(yè)數(shù)：26 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720	文件：1.48703 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.48703 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪聲RF 管基 BFP720 是硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結(jié)寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)。 ? 高轉(zhuǎn)換頻率 fT = 45 GHz，可在高頻下實(shí)現(xiàn)最佳噪聲系數(shù)：NFmin = 0.7 dB（5.5 GHz、3V、5 mA）\n? OIP3 = 23 dBm（5.5 GHz、3V、13 mA）;	Infineon 英飛凌	Infineon
BFP720ESD	文件：1.88516 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor Product Brief The BFP720ESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input 文件：1.88516 Mbytes 頁(yè)數(shù)：29 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720F	文件：1.96386 Mbytes Page：26 Pages	C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor Product Brief The BFP720F is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.0 V and currents up to IC = 25 mA. Th 文件：1.96386 Mbytes 頁(yè)數(shù)：26 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720_12	文件：1.48703 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.48703 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720F	文件：1.56031 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.56031 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720F_12	文件：1.56031 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.56031 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720FESD	文件：1.63823 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.63823 Mbytes 頁(yè)數(shù)：28 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720FESD	文件：1.94228 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor 文件：1.94228 Mbytes 頁(yè)數(shù)：29 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

晶體管資料

型號(hào)：
BFP720
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
調(diào)頻（FM）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
15V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
250MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
3DG120C,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-93
vtest：
15
htest：
250000000
atest：
0.1
wtest：
0.15

技術(shù)參數(shù)

Gmax：
27.50 dB @900 MHz
ICmax：
25 mA
NFmin：
0.40 dB @900 MHz
OIP3：
20.5 dBm
OP1dB：
6 dBm
Ptot：
100 mW
VCEOmax：
4 V
Package：
SOT343

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BFP720	INFINEON/英飛凌	25+	SOT343	20300	INFINEON/英飛凌原裝特價(jià)BFP720即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BFP720	INFINEON	23+	SOT343-4	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BFP720	INFINEON	23+	SOT343-4	7000		詢價(jià)
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司	BFP720	INFINEON	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BFP720	INFINEON/英飛凌	22+	SOT343	20000	只做原裝	詢價(jià)

更多BFP720供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:14:00

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